Vollautomatische Ultraschallreinigungsmaschine für Halbleiter-Siliziumwafer

1. Vollautomatische Ultraschallreinigungsmaschine für Halbleiter-Siliziumwafer

   Präzisionsreinigung für die fortgeschrittene Halbleiterherstellung neu definiert

   Produktübersicht

   Die Anlage ist so konzipiert, daß sie den äußerst hohen Reinheitsanforderungen an Halbleiter-JTM-10720ADist ein vollautomatisches Ultraschallreinigungssystem, das modernste Technologie mit intelligenter Automatisierung kombiniert.organische RückständeMit einem modularen 10-Tank-Design und SEMI-kompatiblen Materialien ist es möglich, die Verarbeitung von Metall-Ionen und Metall-Ionen von Waferoberflächen zu erleichtern, um eine einwandfreie Leistung in Lithographie, Ätzen und Dünnschicht-Ablagerungsprozessen zu gewährleisten.Es liefert konsistente, wiederholbare Ergebnisse für die kritische Reinigung vor und nach der Herstellung.

   Kernfunktionen und technische Exzellenz

   1.Mehrstufige Ultraschallreinigung

   • 40 kHz Hochfrequenzkavitation:
     Er erzeugt Mikroblasen, die auf Waferoberflächen implodieren und Partikel von 0,2 μm ohne physikalischen Kontakt entfernen.und natürliche Oxide von empfindlichen Halbleitermaterialien.
   • 10-Tank-Integrierter Arbeitsablauf:
     • Behälter 1-2: Vorwäsche mit DI-Wasser und Mega-Schall-Rührung, um schwere Trümmer zu lösen.
     • Tanks 3 bis 6: Ultraschallreinigung mit chemischen Lösungen (z. B. SC1/SC2 für RCA-Reinigung) bei 60°C bis 100°C zur Beseitigung organischer und ionischer Verunreinigungen.
     • Tanks 7-9: Mehrstufige DI-Wasserspülungen mit Ultrafiltration (0,1 μm) zur Vermeidung einer Kreuzkontamination.
     • Behälter 10: DryN2TM-Schnelltrocknungssystem mit erhitztem Stickstoff (≤ 5% RH) für fleckfreie, statische Oberflächen.

   2.Voll automatisierte intelligente Steuerung

   • PLC + HMI-Schnittstelle:
     Der 15-Zoll-Touchscreen ermöglicht die Programmierung von mehr als 100 kundenspezifischen Rezepten, die Echtzeitüberwachung von Parametern (Temperatur, Ultraschallleistung, Spüldurchflussrate) und das Tracking von OEE (Overall Equipment Effectiveness).
   • Robotic Wafer Handling:
     Der präzise Roboterarm mit Teflon-beschichteten Greifern sorgt für einen sanften, randsicheren Wafer-Transfer (≤1,5 m/s Geschwindigkeit) zwischen den Tanks und minimiert Partikelbildung und -bruch.

   3.Hochreine Materialkonstruktion

   • Befeuchtete Komponenten:
     Behälter und Düsen aus elektropoliertem 316L-Edelstahl (Ra < 0,2 μm) und PTFE, wodurch die Auslaugung von Metallionen und chemische Korrosion vermieden werden.
   • Filtration in geschlossener Schleife:
     Rezirkulierende Filtrationssysteme mit 0,1 μm-Membranfiltern und UV-Oxidation reduzieren den chemischen Verbrauch um 60% und gewährleisten die Reinheit der Reinigungsflüssigkeit (TOC < 5 ppm).

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