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Einzelheiten zu den Produkten

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Halbleiterreinigungsmaschine
Created with Pixso. Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ

Markenbezeichnung: Jietai
Modellnummer: JTM-100504AD
MOQ: 1
Price: ¥800000
Lieferzeit: 30-60 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Dongguan, Guangdong
Zertifizierung:
CE, FCC, ROHS, etc.
Name:
Halbleiterreinigungsmaschine
Reinigungstemperatur:
60°C
Modell:
JTM-100504AD
Type:
Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung
Reinigungsfrequenz:
40KHZ/80KHZ
Anzahl der Tanks:
10
Gesamtabmessungen:
12M*2M*2.8M
Leistung:
120 kW
Verpackung Informationen:
Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.
Hervorheben:

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine

,

Wafer-Reinigungsmaschine 120KW

,

Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ

Produktbeschreibung

Halbleiter-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkalienreinigung + Ultraschall-Säure-Reinigung + Reinwasserspülung

 

Kerntechnische Vorteile

I. Drei-Tank-Gradentialreinigungssystem

1. Ultraschall-alkalische Reinigungsanlage (pH 10-13)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 80kHz/120kHz Doppelfrequenzschaltung (Puls Ultraschall unterstützt) ▶ Tankmaterial: modifizierte PTFE-Bindung + 316L Edelstahlrahmen (130°C Hochtemperaturbeständigkeit,NaOH/Ammoniak Korrosionsbeständigkeit)

▶ Reinigungsmittel: alkalische Lösung wie Kaliumhydroxid (KOH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) usw.

Kernfunktionen: ✔ Effizientes Entfernen von Photoresistenzrückständen: Zerstörung der molekularen Bindung des Klebefolies durch Kavitationswirkung, zusammen mit einer konstanten Temperaturkontrolle von 50-80 °C,99 entfernen0,9% von SU-8 / positiver Photoresist innerhalb von 15 Minuten

✔ Partikelverunreinigung: eingebaute PP-Kartusche in Mikrogröße (5μm) + Magnetfilter (für die Aufnahme von Fe/Co und anderen Metallpartikeln) ✔ Filtration von Reinigungsabfällen in Echtzeit

2. Ultraschallsäure-Reinigungsanlage (pH 1-3)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 150 kHz Hochfrequenz-Ultraschall (reduziert die Größe der Kavitationsblasen, um Oberflächenschäden zu minimieren)

▶ Behältermaterial: Perfluoralkoxyharz (PFA) -Bindung (HF-beständig).

▶ Reinigungsmittel: BOE-Pufferoxid-Ätzer (HF:NH4F=1:6), Aqua regia (HNO3:HCl=1:3)

Kernfunktionen:

✔ Tiefe der Entfernung von Metallionen ✔ Kontrolle der Oberflächenrauheit: für Al/Cu-Elektrodenrückstände wird durch Säureäserung + Ultraschallschwingung Na+/K+-Rückstände <1010 Atome/cm2 erzielt

✔ Kontrolle der Oberflächenrauheit: dynamisch eingestellte Ultraschallleistung (50-300 W), zusammen mit der Präzision der Temperaturkontrolle ±0,5 °C, um sicherzustellen, dass der Wafer-Oberflächenwert Ra ≤ 0,2 nm

3. Reinwasser-Megasonikspülbehälter (Widerstand ≥ 18,2 MΩ·cm)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 850 kHz MF-Ultraschall (Kavitationsschwelle > 200 μm, um Schäden durch Flüssigkeitsausbrüche zu vermeiden)

▶ Überwachung der Wasserqualität: Online-TOC-Detektor (Detektionsgenauigkeit ≤ 5ppb) + Partikelzähler (Detektion der Partikelgröße 0,1 μm)

▶ Spülmethode: Gegenstromspülung (Reinwasserverbrauch erhöht auf 85%) + Megaschallkavitation (Abspülung von Submikronpartikeln)

Kernmerkmale:

✔ Rückstandsfreie Sauberkeit: Einführung der DI-Wasser-Drei-Stufen-Filtration (Aktivkohle + RO-Membran + Polierharz) mit einer Überlaufrate von 50L/min, um innerhalb von 10 Minuten einen TOC-Rückstand von <10ppb zu erzielen

✔ Grenzverbesserte Reinigung: patentierter rotierender Sprüharm (geschwindigkeit 0-300rpm einstellbar), um den Reinigungsblinden Punkt von 1 mm am Rande der Wafer zu lösen.

Kontaktieren Sie uns noch heute für das Semiconductor Wafer Cleaning Process White Paper und ein exklusives Angebot!

 

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 0Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 1

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 2

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 3

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 4

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 5

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Halbleiterreinigungsmaschine
Created with Pixso. Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ

Markenbezeichnung: Jietai
Modellnummer: JTM-100504AD
MOQ: 1
Price: ¥800000
Verpackungsdetails: Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Dongguan, Guangdong
Markenname:
Jietai
Zertifizierung:
CE, FCC, ROHS, etc.
Modellnummer:
JTM-100504AD
Name:
Halbleiterreinigungsmaschine
Reinigungstemperatur:
60°C
Modell:
JTM-100504AD
Type:
Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung
Reinigungsfrequenz:
40KHZ/80KHZ
Anzahl der Tanks:
10
Gesamtabmessungen:
12M*2M*2.8M
Leistung:
120 kW
Min Bestellmenge:
1
Preis:
¥800000
Verpackung Informationen:
Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M
Lieferzeit:
30-60 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:
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Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.
Hervorheben:

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,

Wafer-Reinigungsmaschine 120KW

,

Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ

Produktbeschreibung

Halbleiter-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkalienreinigung + Ultraschall-Säure-Reinigung + Reinwasserspülung

 

Kerntechnische Vorteile

I. Drei-Tank-Gradentialreinigungssystem

1. Ultraschall-alkalische Reinigungsanlage (pH 10-13)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 80kHz/120kHz Doppelfrequenzschaltung (Puls Ultraschall unterstützt) ▶ Tankmaterial: modifizierte PTFE-Bindung + 316L Edelstahlrahmen (130°C Hochtemperaturbeständigkeit,NaOH/Ammoniak Korrosionsbeständigkeit)

▶ Reinigungsmittel: alkalische Lösung wie Kaliumhydroxid (KOH), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) usw.

Kernfunktionen: ✔ Effizientes Entfernen von Photoresistenzrückständen: Zerstörung der molekularen Bindung des Klebefolies durch Kavitationswirkung, zusammen mit einer konstanten Temperaturkontrolle von 50-80 °C,99 entfernen0,9% von SU-8 / positiver Photoresist innerhalb von 15 Minuten

✔ Partikelverunreinigung: eingebaute PP-Kartusche in Mikrogröße (5μm) + Magnetfilter (für die Aufnahme von Fe/Co und anderen Metallpartikeln) ✔ Filtration von Reinigungsabfällen in Echtzeit

2. Ultraschallsäure-Reinigungsanlage (pH 1-3)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 150 kHz Hochfrequenz-Ultraschall (reduziert die Größe der Kavitationsblasen, um Oberflächenschäden zu minimieren)

▶ Behältermaterial: Perfluoralkoxyharz (PFA) -Bindung (HF-beständig).

▶ Reinigungsmittel: BOE-Pufferoxid-Ätzer (HF:NH4F=1:6), Aqua regia (HNO3:HCl=1:3)

Kernfunktionen:

✔ Tiefe der Entfernung von Metallionen ✔ Kontrolle der Oberflächenrauheit: für Al/Cu-Elektrodenrückstände wird durch Säureäserung + Ultraschallschwingung Na+/K+-Rückstände <1010 Atome/cm2 erzielt

✔ Kontrolle der Oberflächenrauheit: dynamisch eingestellte Ultraschallleistung (50-300 W), zusammen mit der Präzision der Temperaturkontrolle ±0,5 °C, um sicherzustellen, dass der Wafer-Oberflächenwert Ra ≤ 0,2 nm

3. Reinwasser-Megasonikspülbehälter (Widerstand ≥ 18,2 MΩ·cm)

Technische Parameter:

▶ Frequenz: 850 kHz MF-Ultraschall (Kavitationsschwelle > 200 μm, um Schäden durch Flüssigkeitsausbrüche zu vermeiden)

▶ Überwachung der Wasserqualität: Online-TOC-Detektor (Detektionsgenauigkeit ≤ 5ppb) + Partikelzähler (Detektion der Partikelgröße 0,1 μm)

▶ Spülmethode: Gegenstromspülung (Reinwasserverbrauch erhöht auf 85%) + Megaschallkavitation (Abspülung von Submikronpartikeln)

Kernmerkmale:

✔ Rückstandsfreie Sauberkeit: Einführung der DI-Wasser-Drei-Stufen-Filtration (Aktivkohle + RO-Membran + Polierharz) mit einer Überlaufrate von 50L/min, um innerhalb von 10 Minuten einen TOC-Rückstand von <10ppb zu erzielen

✔ Grenzverbesserte Reinigung: patentierter rotierender Sprüharm (geschwindigkeit 0-300rpm einstellbar), um den Reinigungsblinden Punkt von 1 mm am Rande der Wafer zu lösen.

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Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 0Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 1

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Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 4

Halbleiter-Wafer-Reinigungsmaschine 120KW Ultraschall-Waschmaschine 40KHZ / 80KHZ 5