Pulitore per wafer semiconduttori, Pulizia ultrasonica alcalina + Pulizia ultrasonica acida + Risciacquo con acqua pura

Vantaggi tecnici principali

I. Sistema di pulizia a gradiente a tre vasche

1. Vasca di pulizia ultrasonica alcalina (pH 10-13)

Parametri tecnici:

► Frequenza: commutazione a doppia frequenza 80kHz/120kHz (supporta ultrasuoni pulsati) ► Materiale della vasca: rivestimento in PTFE modificato + telaio in acciaio inossidabile 316L (resistenza alle alte temperature di 130°C, resistenza alla corrosione da NaOH / ammoniaca)

► Mezzo di pulizia: soluzione alcalina come idrossido di potassio (KOH), idrossido di tetrametilammonio (TMAH), ecc.

Funzioni principali: ✔ Rimozione efficiente dei residui di fotorresistenza: distruggendo il legame molecolare del film adesivo attraverso l'effetto di cavitazione, insieme al controllo a temperatura costante di 50-80°C, rimuovendo il 99,9% della fotorresistenza SU-8 / positiva entro 15 minuti

✔ Cattura di contaminanti particellari: cartuccia PP di dimensioni micron (5μm) integrata + Filtro magnetico (cattura di particelle metalliche Fe/Co e altre). ✔ Filtrazione in tempo reale dei rifiuti di pulizia

2. Vasca di pulizia acida ultrasonica (pH 1-3)

Parametri tecnici:

► Frequenza: ultrasuoni ad alta frequenza 150kHz (riduce le dimensioni delle bolle di cavitazione per ridurre al minimo i danni alla superficie del wafer)

► Materiale della vasca: rivestimento in resina perfluoroalcossi (PFA) (resistente a HF). Rivestimento in PFA (resistente all'acido misto HF/HNO₃)

► Mezzo di pulizia: tampone di incisione dell'ossido BOE (HF:NH₄F=1:6), acqua regia (HNO₃:HCl=1:3)

Funzioni principali:

✔ Profondità di rimozione degli ioni metallici ✔ Controllo della rugosità superficiale: per i residui di elettrodi Al/Cu, attraverso l'incisione acida + vibrazione ultrasonica, rendere i residui di Na⁺/K⁺ <10¹⁰ atomi/cm²

✔ Controllo della rugosità superficiale: potenza ultrasonica regolata dinamicamente (50-300W), insieme alla precisione del controllo della temperatura ±0,5°C, per garantire che il valore Ra della superficie del wafer sia ≤ 0,2 nm

3. Vasca di risciacquo megasonica con acqua pura (resistività ≥ 18,2 MΩ·cm)

Parametri tecnici:

► Frequenza: ultrasuoni MF 850kHz (soglia di cavitazione > 200μm, per evitare danni da impatto del liquido)

► Monitoraggio della qualità dell'acqua: rilevatore TOC online (accuratezza di rilevamento ≤ 5ppb) + contatore di particelle (rilevamento delle dimensioni delle particelle di 0,1μm)

► Metodo di risciacquo: risciacquo in controcorrente (tasso di utilizzo dell'acqua pura aumentato all'85%) + cavitazione megasonica (rimozione di particelle submicroniche)

Caratteristiche principali:

✔ Pulizia senza residui: adotta la filtrazione a tre stadi dell'acqua DI (carbone attivo + membrana RO + resina lucidante), con una portata di troppo pieno di 50 l/min, per realizzare residui TOC <10ppb entro 10 minuti

✔ Pulizia migliorata dei bordi: braccio spray rotante brevettato (velocità regolabile 0-300 giri/min), per risolvere il punto cieco di pulizia dell'area di 1 mm sul bordo del wafer.

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