เครื่องทำความสะอาดเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์, การทำความสะอาดอัลตราโซนิกแบบอัลคาไลน์ + การทำความสะอาดอัลตราโซนิกแบบกรด + การล้างด้วยน้ำบริสุทธิ์

ข้อได้เปรียบทางเทคนิคหลัก

I. ระบบทำความสะอาดแบบไล่ระดับสามถัง

1. ถังทำความสะอาดอัลตราโซนิกแบบอัลคาไลน์ (pH 10-13)

พารามิเตอร์ทางเทคนิค:

▶ ความถี่: 80kHz/120kHz สลับความถี่คู่ (รองรับอัลตราซาวนด์แบบพัลส์) ▶ วัสดุถัง: ซับใน PTFE ดัดแปลง + โครงสแตนเลส 316L (ทนต่ออุณหภูมิสูง 130℃, ทนต่อการกัดกร่อนของ NaOH / แอมโมเนีย)

▶ สื่อทำความสะอาด: สารละลายอัลคาไลน์ เช่น โพแทสเซียมไฮดรอกไซด์ (KOH), เตตระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ (TMAH) เป็นต้น

ฟังก์ชันหลัก: ✔ การขจัดคราบเรซินเคลือบอย่างมีประสิทธิภาพ: ทำลายพันธะโมเลกุลของฟิล์มกาวผ่านเอฟเฟกต์โพรงอากาศ พร้อมกับการควบคุมอุณหภูมิคงที่ 50-80℃ ขจัด SU-8 / เรซินเคลือบชนิดบวก 99.9% ภายใน 15 นาที

✔ การดักจับสิ่งปนเปื้อนอนุภาค: ตลับ PP ขนาดไมครอนในตัว (5μm) + ตัวกรองแม่เหล็ก (ดักจับ Fe/Co และอนุภาคโลหะอื่นๆ) ✔ การกรองของเสียจากการทำความสะอาดแบบเรียลไทม์

2. ถังทำความสะอาดกรดอัลตราโซนิก (pH 1-3)

พารามิเตอร์ทางเทคนิค:

▶ ความถี่: อัลตราโซนิคความถี่สูง 150kHz (ลดขนาดของฟองอากาศโพรงอากาศเพื่อลดความเสียหายต่อพื้นผิวเวเฟอร์)

▶ วัสดุถัง: ซับใน Perfluoroalkoxy Resin (PFA) (ทนต่อ HF) ซับใน PFA (ทนต่อกรดผสม HF/HNO₃)

▶ สื่อทำความสะอาด: น้ำยาแกะสลักออกไซด์บัฟเฟอร์ BOE (HF:NH₄F=1:6), อควาเรเจีย (HNO₃:HCl=1:3)

ฟังก์ชันหลัก:

✔ ความลึกของการกำจัดไอออนโลหะ ✔ การควบคุมความขรุขระของพื้นผิว: สำหรับสารตกค้างของขั้วไฟฟ้า Al/Cu ผ่านการกัดด้วยกรด + การสั่นสะเทือนของอัลตราโซนิก ทำให้สารตกค้าง Na⁺/K⁺ <10¹⁰ อะตอม/cm²

✔ การควบคุมความขรุขระของพื้นผิว: ปรับกำลังอัลตราโซนิกแบบไดนามิก (50-300W) พร้อมกับการควบคุมอุณหภูมิที่แม่นยำ ±0.5 ℃ เพื่อให้แน่ใจว่าค่า Ra ของพื้นผิวเวเฟอร์ ≤ 0.2nm

3. ถังล้างเมกะโซนิกด้วยน้ำบริสุทธิ์ (ค่าการนำไฟฟ้า ≥ 18.2MΩ・cm)

พารามิเตอร์ทางเทคนิค:

▶ ความถี่: อัลตราซาวนด์ MF 850kHz (เกณฑ์โพรงอากาศ > 200μm เพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายจากการกระแทกของของเหลว)

▶ การตรวจสอบคุณภาพน้ำ: เครื่องตรวจจับ TOC ออนไลน์ (ความแม่นยำในการตรวจจับ ≤ 5ppb) + เครื่องนับอนุภาค (การตรวจจับขนาดอนุภาค 0.1μm)

▶ วิธีการล้าง: การล้างแบบสวนทาง (อัตราการใช้น้ำบริสุทธิ์เพิ่มขึ้นเป็น 85%) + โพรงอากาศเมกะโซนิก (การขจัดอนุภาคขนาดเล็ก)

คุณสมบัติหลัก:

✔ ความสะอาดปราศจากสารตกค้าง: ใช้การกรองน้ำ DI สามขั้นตอน (คาร์บอนกัมมันต์ + เมมเบรน RO + เรซินขัดเงา) ด้วยอัตราการล้น 50L/min เพื่อให้ได้ TOC ตกค้าง <10ppb ภายใน 10 นาที

✔ การทำความสะอาดขอบที่เพิ่มขึ้น: แขนสเปรย์หมุนที่จดสิทธิบัตร (ความเร็ว 0-300rpm ปรับได้) เพื่อแก้ปัญหาจุดบอดในการทำความสะอาดพื้นที่ 1 มม. ที่ขอบของเวเฟอร์

ติดต่อเราวันนี้เพื่อรับเอกสาร White Paper เกี่ยวกับกระบวนการทำความสะอาดเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์และโปรแกรมใบเสนอราคาพิเศษ!