Semiconductor Wafer Reiniger, Ultrasoon Alkalisch Reinigen + Ultrasoon Zuur Reinigen + Spoelen met Zuiver Water

Belangrijkste technische voordelen

I. Drie-tank gradiënt reinigingssysteem

1. Ultrasone alkalische reinigingstank (pH 10-13)

Technische parameters:

▶ Frequentie: 80kHz/120kHz Dual-frequentie schakeling (ondersteunt gepulseerde ultrasoon)

▶ Tankmateriaal: gemodificeerde PTFE-voering + 316L roestvrijstalen frame (130℃ hittebestendigheid, NaOH / ammoniak corrosiebestendig)

▶ Reinigingsmedium: alkalische oplossing zoals kaliumhydroxide (KOH), tetramethylammoniumhydroxide (TMAH), etc.

Kernfuncties: ✔ Efficiënt verwijderen van fotolakresten: vernietigen van de moleculaire binding van de kleeflaag door cavitatie-effect, samen met 50-80℃ constante temperatuurregeling, verwijdert 99,9% van SU-8 / positieve fotolak binnen 15 minuten

✔ Vangen van deeltjesverontreinigingen: ingebouwde micron-grootte PP-cartridge (5μm) + Magnetisch Filter (vangt Fe/Co en andere metaaldeeltjes op). ✔ Real-time filtratie van reinigingsafval

3. Megasonische spoeltank met zuiver water (weerstand ≥ 18,2MΩ・cm)

Technische parameters:

▶ Frequentie: 150kHz hoogfrequente ultrasoon (vermindert de grootte van cavitatiebellen om schade aan het waferoppervlak te minimaliseren)

▶ Tankmateriaal: Perfluoroalkoxyhars (PFA) voering (HF-bestendig). PFA) voering (bestand tegen HF/HNO₃ mengzuur)

▶ Reinigingsmedium: BOE buffer oxide etsmiddel (HF:NH₄F=1:6), koningswater (HNO₃:HCl=1:3)

Kernfuncties:✔ Diepte van metaalionenverwijdering ✔ Oppervlakte ruwheidscontrole: voor Al/Cu elektroderesten, door zuuretsen + ultrasone trillingen, maak Na⁺/K⁺ residu

<10¹⁰ atomen/cm²

✔ Oppervlakte ruwheidscontrole: ultrasone vermogen dynamisch aangepast (50-300W), samen met de precisie van temperatuurregeling ±0,5 ℃, om ervoor te zorgen dat de wafer Oppervlak Ra waarde ≤ 0,2nm

3. Megasonische spoeltank met zuiver water (weerstand ≥ 18,2MΩ・cm)

Technische parameters:

▶ Frequentie: 850kHz MF ultrasoon (cavitatie drempel > 200μm, om schade door vloeistofimpact te voorkomen)

▶ Waterkwaliteit Monitoring: online TOC-detector (detectienauwkeurigheid ≤ 5ppb) + deeltjesteller (0,1μm deeltjesgrootte detectie)

▶ Spoelmethode: tegenstroomspoeling (gebruik van zuiver water verhoogd tot 85%) + megasonische cavitatie (verwijderen van submicron deeltjes)

Kernkenmerken:✔ Residu-vrije reinheid: Gebruik DI-water drietrapsfiltratie (actieve kool + RO-membraan + polijsthars), met een overloopsnelheid van 50L/min, om TOC-residu te realiseren

<10ppb binnen 10 minuten

✔ Randverbeterde reiniging: gepatenteerde roterende sproeiarm (snelheid 0-300rpm instelbaar), om de reinigingsblinde vlek van 1 mm gebied aan de rand van de wafer op te lossen.