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Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C

Name: Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C
Brand: guangdong Jietai Ultrasonic cleaning Equipment Co., Ltd.
SKU: JTM-100504AD
Price: 800000 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Lieferzeit:	30-60work days
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produktbeschreibung

Einzelheiten

Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model:

JTM-100504AD

Power:

120KW

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Number of Tanks:

Cleaning temperature:

60℃

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Packaging Details:

Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M

Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

Produktbeschreibung

Produkteinführung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Speziell für die Halbleiterfertigung entwickelt, integriert dieses Präzisionsreinigungssystem mehrstufige Ultraschallprozesse, um die strengen Anforderungen an die Oberflächenreinheit von Siliziumwafern zu erfüllen und eine minimale Partikelkontamination und Reststoffentfernung zu gewährleisten, was für die Waferherstellung entscheidend ist.

Kernreinigungsprozesse:

Ultraschall-Alkalireinigung: Verwendet alkalische Chemie in Kombination mit Ultraschallenergie, um organische Verunreinigungen, Fotolackrückstände und große Partikel effektiv von Waferoberflächen zu entfernen und Substrate für die anschließende Verarbeitung vorzubereiten.
Ultraschall-Säurereinigung: Zielt auf anorganische Verunreinigungen (z. B. Metallionen, Oxide) durch säurebasierte Ultraschallbehandlung ab und nutzt Kavitationseffekte, um Submikron-Verunreinigungen zu lösen, die in Waferstrukturen oder gemusterten Strukturen eingebettet sind.
DI-Wasser-Spülung: Die Endstufe verwendet hochreines deionisiertes Wasser zur gründlichen Spülung, wodurch restliche Reinigungsmittel entfernt und die Oberflächenneutralität gewährleistet wird, eine Voraussetzung für die Handhabung und Verarbeitung von Wafern nach der Reinigung.

Technische Daten:

Ultraschallfrequenz: 40 kHz - 80 kHz (mehrfach frequenzverstellbar, optimiert die Kavitationsintensität für verschiedene Kontaminationsarten)
Betriebstemperatur: 60 °C (präzisionsgesteuerte thermische Umgebung zur Verbesserung der chemischen Reaktivität und Reinigungseffizienz)
Materialverträglichkeit: Konstruiert mit PVDF-, Quarz- und 316L-Edelstahlkomponenten, um korrosiven Chemikalien zu widerstehen und Sekundärkontaminationen zu verhindern.

Hauptvorteile:

Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz von unter 10 nm, konform mit SEMI-Standards für die fortschrittliche Waferverarbeitung
Die Mehrfrequenz-Ultraschallkonfiguration passt sich an unterschiedliche Reinigungsanforderungen an (von blanken Wafern bis zu gemusterten Waferstufen)
Die geschlossene Temperaturregelung gewährleistet die Prozesswiederholbarkeit, was für die Chargenkonsistenz entscheidend ist
Integriert sich nahtlos in die Front-End- und Back-End-Fertigungslinien für Halbleiter

Anwendung: Ideal für die Reinigung von Siliziumwafern in der IC-Herstellung, MEMS-Fertigung und Halbleiterverpackungsprozessen, bei denen die Oberflächenintegrität die Geräteleistung und den Ertrag direkt beeinflusst.

Schlüsselwörter: Halbleiter-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkali-/Säurereinigung, DI-Wasser-Spülung, 40-80 kHz, 60 °C Temperaturregelung, Silizium-Wafer-Verarbeitung

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 0

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 2

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 3

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 4

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 5

Tags:

Automatisierter Ultraschallreiniger

Ultraschallreinigungsgeräte

Ultraschallreinigungssystem

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Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Verpackungsdetails:	Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M2M2.8M
Zahlungsbedingungen:	T/T

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Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Markenname:

Jietai

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model Number:

JTM-100504AD

Model:

JTM-100504AD

Power:

120KW

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Number of Tanks:

Cleaning temperature:

60℃

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Minimum Order Quantity:

Preis:

￥800000

Packaging Details:

Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M

Delivery Time:

30-60work days

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Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

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Produkteinführung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Kernreinigungsprozesse:

Ultraschall-Alkalireinigung: Verwendet alkalische Chemie in Kombination mit Ultraschallenergie, um organische Verunreinigungen, Fotolackrückstände und große Partikel effektiv von Waferoberflächen zu entfernen und Substrate für die anschließende Verarbeitung vorzubereiten.
Ultraschall-Säurereinigung: Zielt auf anorganische Verunreinigungen (z. B. Metallionen, Oxide) durch säurebasierte Ultraschallbehandlung ab und nutzt Kavitationseffekte, um Submikron-Verunreinigungen zu lösen, die in Waferstrukturen oder gemusterten Strukturen eingebettet sind.
DI-Wasser-Spülung: Die Endstufe verwendet hochreines deionisiertes Wasser zur gründlichen Spülung, wodurch restliche Reinigungsmittel entfernt und die Oberflächenneutralität gewährleistet wird, eine Voraussetzung für die Handhabung und Verarbeitung von Wafern nach der Reinigung.

Technische Daten:

Ultraschallfrequenz: 40 kHz - 80 kHz (mehrfach frequenzverstellbar, optimiert die Kavitationsintensität für verschiedene Kontaminationsarten)
Betriebstemperatur: 60 °C (präzisionsgesteuerte thermische Umgebung zur Verbesserung der chemischen Reaktivität und Reinigungseffizienz)
Materialverträglichkeit: Konstruiert mit PVDF-, Quarz- und 316L-Edelstahlkomponenten, um korrosiven Chemikalien zu widerstehen und Sekundärkontaminationen zu verhindern.

Hauptvorteile:

Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz von unter 10 nm, konform mit SEMI-Standards für die fortschrittliche Waferverarbeitung
Die Mehrfrequenz-Ultraschallkonfiguration passt sich an unterschiedliche Reinigungsanforderungen an (von blanken Wafern bis zu gemusterten Waferstufen)
Die geschlossene Temperaturregelung gewährleistet die Prozesswiederholbarkeit, was für die Chargenkonsistenz entscheidend ist
Integriert sich nahtlos in die Front-End- und Back-End-Fertigungslinien für Halbleiter

Schlüsselwörter: Halbleiter-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkali-/Säurereinigung, DI-Wasser-Spülung, 40-80 kHz, 60 °C Temperaturregelung, Silizium-Wafer-Verarbeitung

Reiniger für Halbleiter-Siliziumwafer - Ultraschallreinigung mit Alkali/Säure + DI-Wasser-Spülung, 40 kHz-80 kHz, 60 °C 0

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