Detalhes dos produtos

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Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
preço:	￥800000
Tempo de entrega:	30-60work days
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model:

JTM-100504AD

Power:

120KW

Tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Number of Tanks:

Cleaning temperature:

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Packaging Details:

Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M

Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

Descrição do produto

Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor

Projetado especificamente para a fabricação de semicondutores, este sistema de limpeza de precisão integra processos ultra-sônicos em vários estágios para atender aos rigorosos requisitos de pureza da superfície de wafers de silício,Assegurar a mínima contaminação por partículas e a remoção de resíduos críticos para a fabricação de wafers.

Processos de limpeza do núcleo:

Limpeza alcalina por ultrassom: utiliza química alcalina combinada com energia ultrassônica para remover eficazmente contaminantes orgânicos, resíduos fotoresistentes,e grandes partículas de superfícies de wafer, preparação de substratos para transformação posterior.
Limpeza por ácido por ultra-som: Destina-se a impurezas inorgânicas (por exemplo, íons metálicos, óxidos) através de tratamento por ultra-som à base de ácido,Aproveitando efeitos de cavitação para desalojar contaminantes submicrônicos incorporados em texturas de wafer ou estruturas com padrões.
Rinsagem com água DI: a fase final utiliza água desionizada de alta pureza para enxaguar completamente, eliminando os agentes de limpeza residuais e garantindo a neutralidade da superfície,um pré-requisito para o manuseio e o processamento de wafers após a limpeza.

Especificações técnicas:

Frequência ultrasônica: 40KHz-80KHz (multi-frequência ajustável, otimizando a intensidade de cavitação para diferentes tipos de contaminação)
Temperatura de funcionamento: 60°C (ambiente térmico controlado com precisão para melhorar a reatividade química e a eficiência de limpeza)
Compatibilidade dos materiais: Construído com componentes de PVDF, quartzo e aço inoxidável 316L para resistir a substâncias químicas corrosivas e evitar contaminação secundária.

Principais vantagens:

Alcança uma eficiência de remoção de partículas abaixo de 10 nm, em conformidade com os padrões SEMI para processamento avançado de wafer
Configuração ultrasônica de múltiplas frequências adapta-se aos diversos requisitos de limpeza (de wafer nu a estágios de wafer padronizados)
O controlo de temperatura em circuito fechado garante a repetibilidade do processo, fundamental para a consistência de lote para lote
Integra-se perfeitamente nas linhas de produção front-end e back-end de semicondutores

Aplicação: Ideal para limpeza de wafers de silício na fabricação de IC, fabricação de MEMS e processos de embalagem de semicondutores, onde a integridade da superfície afeta diretamente o desempenho e o rendimento do dispositivo.

Palavras-chave: Limpeza de wafer semicondutor, limpeza alcalina/ácida por ultrassom, enxaguamento com água DI, 40-80KHz, controle de temperatura a 60°C, processamento de wafer de silício

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 0

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 2

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 3

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Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 5

Tags:

Limpador ultrassônico automatizado

Equipamento de Limpeza Ultrassônica

Sistema da limpeza ultrassônica

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Máquina de limpeza de semicondutores

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C

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Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
preço:	￥800000
Detalhes da embalagem:	Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M2M2.8M
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

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Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Marca:

Jietai

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model Number:

JTM-100504AD

Model:

JTM-100504AD

Power:

120KW

Tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Number of Tanks:

Cleaning temperature:

60℃

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Minimum Order Quantity:

Preço:

￥800000

Packaging Details:

Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M

Delivery Time:

30-60work days

Payment Terms:

T/T

Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

Descrição do produto

Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor

Processos de limpeza do núcleo:

Limpeza alcalina por ultrassom: utiliza química alcalina combinada com energia ultrassônica para remover eficazmente contaminantes orgânicos, resíduos fotoresistentes,e grandes partículas de superfícies de wafer, preparação de substratos para transformação posterior.
Limpeza por ácido por ultra-som: Destina-se a impurezas inorgânicas (por exemplo, íons metálicos, óxidos) através de tratamento por ultra-som à base de ácido,Aproveitando efeitos de cavitação para desalojar contaminantes submicrônicos incorporados em texturas de wafer ou estruturas com padrões.
Rinsagem com água DI: a fase final utiliza água desionizada de alta pureza para enxaguar completamente, eliminando os agentes de limpeza residuais e garantindo a neutralidade da superfície,um pré-requisito para o manuseio e o processamento de wafers após a limpeza.

Especificações técnicas:

Frequência ultrasônica: 40KHz-80KHz (multi-frequência ajustável, otimizando a intensidade de cavitação para diferentes tipos de contaminação)
Temperatura de funcionamento: 60°C (ambiente térmico controlado com precisão para melhorar a reatividade química e a eficiência de limpeza)
Compatibilidade dos materiais: Construído com componentes de PVDF, quartzo e aço inoxidável 316L para resistir a substâncias químicas corrosivas e evitar contaminação secundária.

Principais vantagens:

Alcança uma eficiência de remoção de partículas abaixo de 10 nm, em conformidade com os padrões SEMI para processamento avançado de wafer
Configuração ultrasônica de múltiplas frequências adapta-se aos diversos requisitos de limpeza (de wafer nu a estágios de wafer padronizados)
O controlo de temperatura em circuito fechado garante a repetibilidade do processo, fundamental para a consistência de lote para lote
Integra-se perfeitamente nas linhas de produção front-end e back-end de semicondutores

Palavras-chave: Limpeza de wafer semicondutor, limpeza alcalina/ácida por ultrassom, enxaguamento com água DI, 40-80KHz, controle de temperatura a 60°C, processamento de wafer de silício

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 0

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 2

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 3

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 4

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água DI, 40KHz-80KHz, 60°C 5

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