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Limpieza de obleas de silicio semiconductor - Limpieza alcalina/ácida por ultrasonido + enjuague con agua DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Limpieza de obleas de silicio semiconductor - Limpieza alcalina/ácida por ultrasonido + enjuague con agua DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Price:	￥800000
Tiempo De Entrega:	Entre 30 y 60 días hábiles
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Potencia:

120kW

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Número de tanques:

Temperatura de limpieza:

60 °C

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

Descripción del Producto

Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Diseñado específicamente para la fabricación de semiconductores, este sistema de limpieza de precisión integra procesos ultrasónicos de múltiples etapas para cumplir con los estrictos requisitos de pureza de la superficie de las obleas de silicio, asegurando una contaminación mínima de partículas y la eliminación de residuos, fundamental para la fabricación de obleas.

Procesos de Limpieza Principales:

Limpieza Ultrasónica Alcalina: Utiliza química alcalina combinada con energía ultrasónica para eliminar eficazmente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas grandes de las superficies de las obleas, preparando los sustratos para el procesamiento posterior.
Limpieza Ultrasónica Ácida: Se enfoca en impurezas inorgánicas (por ejemplo, iones metálicos, óxidos) a través de un tratamiento ultrasónico a base de ácido, aprovechando los efectos de cavitación para desalojar contaminantes submicrónicos incrustados en las texturas de las obleas o estructuras con patrones.
Enjuague con Agua DI: La etapa final emplea agua desionizada de alta pureza para un enjuague a fondo, eliminando los agentes de limpieza residuales y asegurando la neutralidad de la superficie, un requisito previo para la manipulación y el procesamiento de obleas posteriores a la limpieza.

Especificaciones Técnicas:

Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz (ajustable multifrecuencia, optimizando la intensidad de cavitación para diferentes tipos de contaminación)
Temperatura de Funcionamiento: 60℃ (entorno térmico controlado con precisión para mejorar la reactividad química y la eficiencia de limpieza)
Compatibilidad de Materiales: Construido con componentes de PVDF, cuarzo y acero inoxidable 316L para resistir las químicas corrosivas y prevenir la contaminación secundaria.

Ventajas Clave:

Logra una eficiencia de eliminación de partículas inferior a 10 nm, conforme a los estándares SEMI para el procesamiento avanzado de obleas
La configuración ultrasónica multifrecuencia se adapta a diversos requisitos de limpieza (desde obleas desnudas hasta etapas de obleas con patrones)
El control de temperatura de circuito cerrado garantiza la repetibilidad del proceso, fundamental para la consistencia de lote a lote
Se integra perfectamente en las líneas de fabricación de front-end y back-end de semiconductores

Aplicación: Ideal para la limpieza de obleas de silicio en la fabricación de circuitos integrados, la fabricación de MEMS y los procesos de empaquetado de semiconductores, donde la integridad de la superficie impacta directamente en el rendimiento y el rendimiento del dispositivo.

Palabras clave: Limpiador de obleas de semiconductores, limpieza ultrasónica alcalina/ácida, enjuague con agua DI, 40-80KHz, control de temperatura de 60℃, procesamiento de obleas de silicio

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Tags:

Limpiador ultrasónico automatizado

Equipo de limpieza por ultrasonidos

Sistema de la limpieza ultrasónica

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Limpieza de obleas de silicio semiconductor - Limpieza alcalina/ácida por ultrasonido + enjuague con agua DI, 40KHz-80KHz, 60°C

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Price:	￥800000
Detalles Del Embalaje:	Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M2M2.8M
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Nombre de la marca:

Jietai

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Potencia:

120kW

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Número de tanques:

Temperatura de limpieza:

60 °C

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Cantidad de orden mínima:

Precio:

￥800000

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Tiempo de entrega:

Entre 30 y 60 días hábiles

Condiciones de pago:

T/t

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

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Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Procesos de Limpieza Principales:

Limpieza Ultrasónica Alcalina: Utiliza química alcalina combinada con energía ultrasónica para eliminar eficazmente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas grandes de las superficies de las obleas, preparando los sustratos para el procesamiento posterior.
Limpieza Ultrasónica Ácida: Se enfoca en impurezas inorgánicas (por ejemplo, iones metálicos, óxidos) a través de un tratamiento ultrasónico a base de ácido, aprovechando los efectos de cavitación para desalojar contaminantes submicrónicos incrustados en las texturas de las obleas o estructuras con patrones.
Enjuague con Agua DI: La etapa final emplea agua desionizada de alta pureza para un enjuague a fondo, eliminando los agentes de limpieza residuales y asegurando la neutralidad de la superficie, un requisito previo para la manipulación y el procesamiento de obleas posteriores a la limpieza.

Especificaciones Técnicas:

Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz (ajustable multifrecuencia, optimizando la intensidad de cavitación para diferentes tipos de contaminación)
Temperatura de Funcionamiento: 60℃ (entorno térmico controlado con precisión para mejorar la reactividad química y la eficiencia de limpieza)
Compatibilidad de Materiales: Construido con componentes de PVDF, cuarzo y acero inoxidable 316L para resistir las químicas corrosivas y prevenir la contaminación secundaria.

Ventajas Clave:

Logra una eficiencia de eliminación de partículas inferior a 10 nm, conforme a los estándares SEMI para el procesamiento avanzado de obleas
La configuración ultrasónica multifrecuencia se adapta a diversos requisitos de limpieza (desde obleas desnudas hasta etapas de obleas con patrones)
El control de temperatura de circuito cerrado garantiza la repetibilidad del proceso, fundamental para la consistencia de lote a lote
Se integra perfectamente en las líneas de fabricación de front-end y back-end de semiconductores

Palabras clave: Limpiador de obleas de semiconductores, limpieza ultrasónica alcalina/ácida, enjuague con agua DI, 40-80KHz, control de temperatura de 60℃, procesamiento de obleas de silicio

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