1. การแก้ไขเฉพาะสําหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์และครึ่งประสาท

• การกําจัดอนุภาคระดับนาโนเมตร: สามารถกําจัดอนุภาคอะลูมิเนียมโอกไซด์ ≥ 0.5μm, ด้วยอัตราการเหลือ < 0.1อนุภาค/mm2 (เหนือกว่ามาตรฐาน IPC-A-610E);
• กระบวนการทําความสะอาดที่ไม่ทําลาย: ผ่านเทคโนโลยีการขยายกําลัง (0-100% เวลาขยายกําลัง ≤15 วินาที) มันหลีกเลี่ยงการแตกของขอบของซิลิคอนวอลเฟอร์ที่เกิดจากการกระแทก cavitation เพิ่มอัตราการผลิตขึ้นถึง 99.2%

2. การทําความสะอาดกระบวนการเต็มสําหรับการแปรรูปฮาร์ดแวร์

• กระบวนการลดไขมัน: ในความถี่ 40kHz และกําลัง 1000W เหลือของเหลวการตัดจะถูกกําจัดภายใน 30 นาที (อัตราการกําจัด > 99%)
• กระบวนการถอน: รวมกับสารล้างความเสียดทาน ultrasonic การทําความสะอาดในอุณหภูมิห้อง (25 °C) สามารถปลดชั้น Fe3O4 oxide ลดการใช้สารเคมี 70% เมื่อเทียบกับการลดน้ํายาแบบประเพณี
• การช่วยเหลือในการเคลือบ: กับสารเลื้อยเอมเรย์, ความสั่นสะเทือนความถี่สูงบรรลุความหยาบของพื้นผิว Ra0.2μm, การแทนที่ 80% ของภาระงานเลืองด้วยมือ

3การทําความสะอาดลึกสําหรับอุตสาหกรรมเคมีและการแพทย์ประจําวัน

• การรักษาก่อนของอุปกรณ์การแพทย์: รองรับโหมดการกําจัดเชื้อที่อุณหภูมิสูง 134 °C (ต้องการโมดูลการทําความร้อนแบบเลือก) โดยมีจํานวนเชื้อเชื้อ < 5CFU ต่อชิ้นหลังจากทําความสะอาด ตอบสนองมาตรฐานการจัดหาเชื้อระบายเชื้อ WS 310.2-2016;
• การทําความสะอาดเครื่องมือความงาม: สําหรับวัสดุที่มีขุมขวาง เช่น ผ้าแปรงเครื่องสําอาง และผ้าแป้ง, การทําความสะอาดแบบกระแทกความถี่ต่ํา (20kHz + 300W) จะกําจัดน้ํามันเครื่องสําอางที่เหลือภายใน 3 นาที, ด้วยอัตราการกําจัดแบคทีเรีย > 99.9%.