1Dedicated Solutions voor de elektronica- en halfgeleiderindustrie

• Verwijdering van deeltjes op nanometerniveau: in staat om aluminium-oxide deeltjes ≥ 0,5 μm te verwijderen, met een residugehalte < 0,1 deeltjes/mm2 (beter dan IPC-A-610E-normen);
• Niet-destructieve reiniging: Door middel van krachtrampingtechnologie (0-100% krachtramptijd ≤15 s) voorkomt het het kraken van de rand van siliciumwafers door cavitatie-inslag, waardoor de opbrengstgraad tot 99,2% wordt verhoogd.

2. Full-process Reiniging voor Hardware Bewerking

• Ontvetproces: bij een frequentie van 40 kHz en een vermogen van 1000 W worden de residuen van de snijvloeistof binnen 30 minuten verwijderd (verwijderingspercentage > 99%);
• Verwijderingsproces: In combinatie met ultrasone ontroestingsmiddelen kan het schoonmaken bij kamertemperatuur (25°C) de Fe3O4-oxidelaag afschillen, waardoor het chemisch gebruik met 70% wordt verminderd in vergelijking met het traditionele bekken;
• Polierhulp: Bij smaragd slijpmiddelen bereikt hoge frequentie trillingen een oppervlakte ruwheid van Ra 0,2 μm, waardoor 80% van de handmatige polijstlast wordt vervangen.

3. Diep reiniging voor medische en dagelijkse chemische industrieën

• Voorbehandeling van medische hulpmiddelen: Ondersteunt een sterilisatiemodus met een hoge temperatuur van 134 °C (optioneel verwarmingsmodule vereist), met een microbiële hoeveelheid van < 5 CFU per stuk na reiniging, voldoet aan de standaarden voor de desinfectie van WS 310.2-2016;
• Schoonheidsinstrumenten schoonmaken: Voor poreuze materialen zoals make-upborstels en poederpoeders verwijdert pulserende reiniging met lage frequentie (20kHz+300W) overgebleven cosmetische oliën binnen 3 minuten, met een bacteriële verwijderingsgraad van > 99,9%.