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Máquina de limpeza de semicondutores
Created with Pixso. Limpeza de Bolacha de Silício Semicondutor - Limpeza Ultrassônica Alcalina/Ácida de 40KHz-80KHz + Enxágue com Água Pura, 60℃

Limpeza de Bolacha de Silício Semicondutor - Limpeza Ultrassônica Alcalina/Ácida de 40KHz-80KHz + Enxágue com Água Pura, 60℃

Nome da marca: Jietai
Número do modelo: JTM-100504AD
MOQ: 1
preço: ¥800000
Tempo de entrega: 30 a 60 dias úteis
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Dongguan, Guangdong
Certificação:
CE, FCC, ROHS, etc.
Frequência de limpeza:
40KHZ/80KHZ
Tipo:
Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura
nome:
Máquina de limpeza de semicondutores
Temperatura de limpeza:
60°C
Dimensões totais:
12M*2M*2.8M
Modelo:
JTM-100504AD
Número de tanques:
10
Potência:
120 kW
Detalhes da embalagem:
Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Habilidade da fonte:
Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.
Descrição do produto
Introdução ao produto: Sistema de limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.
Este sistema de limpeza integrado, concebido para a fabricação de semicondutores de alta precisão, combina processos ultra-sônicos de vários estágios para proporcionar uma pureza de superfície de nível sub-ppb,um pré-requisito crítico para a fabricação de wafers de silício na produção de microeletrónica de nó avançado (≤ 7 nm).- Não.
Mecanismo de limpeza por etapas:- Não.
  • Limpeza alcalina por ultra-somFunciona a 40KHz-80KHz para gerar cavitação controlada em meios alcalinos, removendo eficientemente contaminantes orgânicos (por exemplo, fotoresistentes,Hidrocarbonetos) e partículas (≥ 1 μm) provenientes das superfícies das placas e das estruturas desenhadasA energia ultra-sônica ajustável em frequência garante uma limpeza uniforme em todas as placas de 4"-12", incluindo as bordas e as superfícies traseiras.- Não.
  • Limpeza por ácido por ultra-som: Utiliza a mesma faixa de frequência em soluções ácidas para atingir impurezas inorgânicas, especificamente contaminantes de íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Este estágio emprega micro-jetos induzidos por cavitação para desalojar partículas sub-100nm incorporadas em trincheiras ou vias, validados por contadores de partículas a laser (≤ 5 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.
  • Ciclo de enxaguamento com água pura: O enxaguamento final com UPW (água ultrapura, TOC ≤ 3ppb) elimina resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm para atender às normas SEMI F020 para o tratamento pré-deposição.- Não.
Especificações técnicas:- Não.
  • Faixa de Frequência Ultrasônica: 40KHz-80KHz (multifrequência selecionável via PLC, otimizando a intensidade de cavitação para o tipo de contaminação)- Não.
  • Temperatura do processo: 60°C (tolerância ± 0,5°C controlada pelo PID) para acelerar a reatividade química sem induzir tensão na bolacha- Não.
  • Compatibilidade material: Componentes molhados em PFA e alumina de alta pureza para resistir à corrosão por HF/H2SO4, evitando a perda de partículas- Não.
Métricas fundamentais de desempenho:- Não.
  • Eficiência de remoção de partículas (PRE) ≥ 99,9% para contaminantes ≥ 0,1 μm- Não.
  • Eliminação de resíduos químicos ≤ 0,1 ng/cm2 (verificado pelo ICP-MS)- Não.
  • Compatível com manipulação automática de cassetes (FOUP/SMIF) para integração de fábrica 24 horas por dia, 7 dias por semana- Não.
Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pré-implantes em linhas de produção de wafers de lógica, memória e sensores.- Não.
Palavras-chave: limpador de wafer semicondutor, limpeza alcalina/ácida por ultra-som, enxaguamento UPW, processo 40-80KHz, 60°C, descontaminação de wafer de silício- Não.
Este sistema garante um desempenho de limpeza consistente para maximizar o rendimento em ambientes de fabricação de semicondutores de alto volume.

Limpeza de Bolacha de Silício Semicondutor - Limpeza Ultrassônica Alcalina/Ácida de 40KHz-80KHz + Enxágue com Água Pura, 60℃ 0Limpeza de Bolacha de Silício Semicondutor - Limpeza Ultrassônica Alcalina/Ácida de 40KHz-80KHz + Enxágue com Água Pura, 60℃ 1

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Nome da marca: Jietai
Número do modelo: JTM-100504AD
MOQ: 1
preço: ¥800000
Detalhes da embalagem: Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Dongguan, Guangdong
Marca:
Jietai
Certificação:
CE, FCC, ROHS, etc.
Model Number:
JTM-100504AD
Frequência de limpeza:
40KHZ/80KHZ
Tipo:
Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura
nome:
Máquina de limpeza de semicondutores
Temperatura de limpeza:
60°C
Dimensões totais:
12M*2M*2.8M
Modelo:
JTM-100504AD
Número de tanques:
10
Potência:
120 kW
Quantidade de ordem mínima:
1
Preço:
¥800000
Detalhes da embalagem:
Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Tempo de entrega:
30 a 60 dias úteis
Payment Terms:
T/T
Habilidade da fonte:
Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.
Descrição do produto
Introdução ao produto: Sistema de limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.
Este sistema de limpeza integrado, concebido para a fabricação de semicondutores de alta precisão, combina processos ultra-sônicos de vários estágios para proporcionar uma pureza de superfície de nível sub-ppb,um pré-requisito crítico para a fabricação de wafers de silício na produção de microeletrónica de nó avançado (≤ 7 nm).- Não.
Mecanismo de limpeza por etapas:- Não.
  • Limpeza alcalina por ultra-somFunciona a 40KHz-80KHz para gerar cavitação controlada em meios alcalinos, removendo eficientemente contaminantes orgânicos (por exemplo, fotoresistentes,Hidrocarbonetos) e partículas (≥ 1 μm) provenientes das superfícies das placas e das estruturas desenhadasA energia ultra-sônica ajustável em frequência garante uma limpeza uniforme em todas as placas de 4"-12", incluindo as bordas e as superfícies traseiras.- Não.
  • Limpeza por ácido por ultra-som: Utiliza a mesma faixa de frequência em soluções ácidas para atingir impurezas inorgânicas, especificamente contaminantes de íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Este estágio emprega micro-jetos induzidos por cavitação para desalojar partículas sub-100nm incorporadas em trincheiras ou vias, validados por contadores de partículas a laser (≤ 5 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.
  • Ciclo de enxaguamento com água pura: O enxaguamento final com UPW (água ultrapura, TOC ≤ 3ppb) elimina resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm para atender às normas SEMI F020 para o tratamento pré-deposição.- Não.
Especificações técnicas:- Não.
  • Faixa de Frequência Ultrasônica: 40KHz-80KHz (multifrequência selecionável via PLC, otimizando a intensidade de cavitação para o tipo de contaminação)- Não.
  • Temperatura do processo: 60°C (tolerância ± 0,5°C controlada pelo PID) para acelerar a reatividade química sem induzir tensão na bolacha- Não.
  • Compatibilidade material: Componentes molhados em PFA e alumina de alta pureza para resistir à corrosão por HF/H2SO4, evitando a perda de partículas- Não.
Métricas fundamentais de desempenho:- Não.
  • Eficiência de remoção de partículas (PRE) ≥ 99,9% para contaminantes ≥ 0,1 μm- Não.
  • Eliminação de resíduos químicos ≤ 0,1 ng/cm2 (verificado pelo ICP-MS)- Não.
  • Compatível com manipulação automática de cassetes (FOUP/SMIF) para integração de fábrica 24 horas por dia, 7 dias por semana- Não.
Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pré-implantes em linhas de produção de wafers de lógica, memória e sensores.- Não.
Palavras-chave: limpador de wafer semicondutor, limpeza alcalina/ácida por ultra-som, enxaguamento UPW, processo 40-80KHz, 60°C, descontaminação de wafer de silício- Não.
Este sistema garante um desempenho de limpeza consistente para maximizar o rendimento em ambientes de fabricação de semicondutores de alto volume.

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