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半導体洗浄機
Created with Pixso. 半導体シリコンウェーハクリーナー - 40KHz-80KHz 超音波アルカリ/酸洗浄 + 純水リンス、60℃

半導体シリコンウェーハクリーナー - 40KHz-80KHz 超音波アルカリ/酸洗浄 + 純水リンス、60℃

ブランド名: Jietai
モデル番号: JTM-100504AD
MOQ: 1
価格: ¥800000
配達時間: 30~60 営業日
支払条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
トンコワン、広東省
証明:
CE, FCC, ROHS, etc.
清掃頻度:
40KHZ/80KHZ
タイプ:
超音波アルカリ洗浄+超音波酸洗浄+純水洗浄
名前:
半導体洗浄機
清掃温度:
60°C
総寸法:
12M*2M*2.8M
モデル:
JTM-100504AD
タンク数:
10
出力:
120kW
パッケージの詳細:
梱包:木箱、木枠、ストレッチフィルム。寸法:12m*2m*2.8m
供給の能力:
1台 30~60日かかる
製品説明
製品紹介: 半導体シリコン・ウェーバー清掃システムわかった
高精度半導体製造用に設計された この統合洗浄システムは 多段階超音波処理を組み合わせて高度なノード (≤7nm) マイクロ電子機器の製造におけるシリコン・ウェーファー製造の重要な前提条件.わかった
段階的な清掃メカニズム:わかった
  • 超音波 アルカリ浄化: 40KHz-80KHzで動作し,アルカリ性媒体で制御されたカビテーションを生成し,有機汚染物質 (例えば光抵抗,水素) と小粒 (≥1μm) が,ウエフルの表面や模様構造から周波数調節可能な超音波エネルギーは 4"~12"のウエフルの均質な清掃を保証します.わかった
  • 超音波酸浄化: 酸性溶液で同じ周波数帯を使用し,無機不純物を標的にします.特に金属イオン汚染物 (Fe,Cu,Zn) と天然酸化物層 (SiO2) を標的にします.この段階では,穴やビアスに埋め込まれた100nm未満の粒子を外すため,カビテーション誘発されたマイクロジェットを使用します.レーザー粒子カウンターで検証された (≥0.1μmで5粒/ウェーファー≤).わかった
  • 清水 で 洗浄 する サイクル: UPW (超純水,TOC ≤3ppb) での最終洗浄により,残留化学物質は除去され,表面抵抗 ≥18.2MΩ·cmを達成し,沈没前処理のためのSEMI F020規格を満たします.わかった
テクニカル仕様:わかった
  • 超音波周波数帯: 40KHz-80KHz (PLCで選択可能な多周波数,汚染タイプに適したカビテーション強度を最適化)わかった
  • プロセス温度: 60°C (PID制御, ±0.5°Cの許容度) は,ウエファーストレスを誘発することなく化学反応性を加速させるわかった
  • 物質的相容性: PFAと高純度アルミニウム酸の水浸した成分は,HF/H2SO4の腐食に抵抗し,粒子の流出を防ぐわかった
主要なパフォーマンス指標:わかった
  • ≥0.1μmの汚染物質に対して,粒子除去効率 (PRE) ≥99.9%わかった
  • 化学残留物の除去 ≤0.1ng/cm2 (ICP-MS 検証)わかった
  • 自動カセット処理 (FOUP/SMIF) と互換性があり,24/7の工場統合が可能わかった
適用する: 論理,メモリ,センサーウエファー生産ラインにおけるプリリトー,ポストCMP,およびプリインプラント清掃に不可欠です.わかった
キーワード: 半導体ウエファークリーナー,超音波アルカリ/酸浄化,UPW洗浄,40〜80KHz,60°Cプロセス,シリコンウエファー浄化わかった
このシステムは,大量の半導体製造環境での生産量を最大化するために一貫した清掃性能を保証します.

半導体シリコンウェーハクリーナー - 40KHz-80KHz 超音波アルカリ/酸洗浄 + 純水リンス、60℃ 0半導体シリコンウェーハクリーナー - 40KHz-80KHz 超音波アルカリ/酸洗浄 + 純水リンス、60℃ 1

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半導体シリコンウェーハクリーナー - 40KHz-80KHz 超音波アルカリ/酸洗浄 + 純水リンス、60℃

ブランド名: Jietai
モデル番号: JTM-100504AD
MOQ: 1
価格: ¥800000
パッケージの詳細: 梱包:木箱、木枠、ストレッチフィルム。寸法:12m*2m*2.8m
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起源の場所:
トンコワン、広東省
ブランド名:
Jietai
証明:
CE, FCC, ROHS, etc.
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JTM-100504AD
清掃頻度:
40KHZ/80KHZ
タイプ:
超音波アルカリ洗浄+超音波酸洗浄+純水洗浄
名前:
半導体洗浄機
清掃温度:
60°C
総寸法:
12M*2M*2.8M
モデル:
JTM-100504AD
タンク数:
10
出力:
120kW
最小注文数量:
1
価格:
¥800000
パッケージの詳細:
梱包:木箱、木枠、ストレッチフィルム。寸法:12m*2m*2.8m
受渡し時間:
30~60 営業日
Payment Terms:
T/T
供給の能力:
1台 30~60日かかる
製品説明
製品紹介: 半導体シリコン・ウェーバー清掃システムわかった
高精度半導体製造用に設計された この統合洗浄システムは 多段階超音波処理を組み合わせて高度なノード (≤7nm) マイクロ電子機器の製造におけるシリコン・ウェーファー製造の重要な前提条件.わかった
段階的な清掃メカニズム:わかった
  • 超音波 アルカリ浄化: 40KHz-80KHzで動作し,アルカリ性媒体で制御されたカビテーションを生成し,有機汚染物質 (例えば光抵抗,水素) と小粒 (≥1μm) が,ウエフルの表面や模様構造から周波数調節可能な超音波エネルギーは 4"~12"のウエフルの均質な清掃を保証します.わかった
  • 超音波酸浄化: 酸性溶液で同じ周波数帯を使用し,無機不純物を標的にします.特に金属イオン汚染物 (Fe,Cu,Zn) と天然酸化物層 (SiO2) を標的にします.この段階では,穴やビアスに埋め込まれた100nm未満の粒子を外すため,カビテーション誘発されたマイクロジェットを使用します.レーザー粒子カウンターで検証された (≥0.1μmで5粒/ウェーファー≤).わかった
  • 清水 で 洗浄 する サイクル: UPW (超純水,TOC ≤3ppb) での最終洗浄により,残留化学物質は除去され,表面抵抗 ≥18.2MΩ·cmを達成し,沈没前処理のためのSEMI F020規格を満たします.わかった
テクニカル仕様:わかった
  • 超音波周波数帯: 40KHz-80KHz (PLCで選択可能な多周波数,汚染タイプに適したカビテーション強度を最適化)わかった
  • プロセス温度: 60°C (PID制御, ±0.5°Cの許容度) は,ウエファーストレスを誘発することなく化学反応性を加速させるわかった
  • 物質的相容性: PFAと高純度アルミニウム酸の水浸した成分は,HF/H2SO4の腐食に抵抗し,粒子の流出を防ぐわかった
主要なパフォーマンス指標:わかった
  • ≥0.1μmの汚染物質に対して,粒子除去効率 (PRE) ≥99.9%わかった
  • 化学残留物の除去 ≤0.1ng/cm2 (ICP-MS 検証)わかった
  • 自動カセット処理 (FOUP/SMIF) と互換性があり,24/7の工場統合が可能わかった
適用する: 論理,メモリ,センサーウエファー生産ラインにおけるプリリトー,ポストCMP,およびプリインプラント清掃に不可欠です.わかった
キーワード: 半導体ウエファークリーナー,超音波アルカリ/酸浄化,UPW洗浄,40〜80KHz,60°Cプロセス,シリコンウエファー浄化わかった
このシステムは,大量の半導体製造環境での生産量を最大化するために一貫した清掃性能を保証します.

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