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Macchine per la pulizia dei semiconduttori

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C

Marchio:	Jietai
Numero di modello:	JTM-100504AD
MOQ:	1
prezzo:	￥800000
Tempo di consegna:	30-60 giorni lavorativi
Condizioni di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Dongguan, Guangdong

Certificazione:

CE, FCC, ROHS, etc.

Frequenza di pulizia:

40KHZ/80KHZ

Tipo:

Lavaggio alcalino ad ultrasuoni+lavaggio acido ad ultrasuoni+lavaggio con acqua pura

nome:

Macchine per la pulizia dei semiconduttori

Temperatura di pulizia:

Dimensioni complessive:

12M*2M*2.8M

Modello:

JTM-100504AD

Numero di serbatoi:

Potenza:

120kW

Imballaggi particolari:

Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M*2M*2.8M

Capacità di alimentazione:

Ci vorranno da 30 a 60 giorni.

Descrizione del prodotto

Introduzione al prodotto: Sistema di pulizia delle wafer di silicio semiconduttore- Sì.

Questo sistema di pulizia integrato, progettato per la produzione di semiconduttori ad alta precisione, combina processi a ultrasuoni in più fasi per fornire una purezza superficiale di livello sub-ppb,un prerequisito critico per la fabbricazione di wafer di silicio nella produzione di microelettronica a nodo avanzato (≤ 7 nm).- Sì.

Meccanismo di pulizia graduale:- Sì.

Pulizia alcalina ad ultrasuoni: opera a 40KHz-80KHz per generare una cavitazione controllata in mezzi alcalini, eliminando in modo efficiente i contaminanti organici (ad es.idrocarburi) e particolato (≥ 1 μm) proveniente dalle superfici dei wafer e dalle strutture a modelloL'energia ad ultrasuoni regolabile in frequenza garantisce una pulizia uniforme tra i wafer da 4 a 12 pollici, compresi i contorni e le superfici posteriori.- Sì.

Pulizia acida ad ultrasuoni: utilizza lo stesso intervallo di frequenza nelle soluzioni acide per colpire le impurità inorganiche, in particolare i contaminanti degli ioni metallici (Fe, Cu, Zn) e gli strati di ossido nativi (SiO2).Questo stadio utilizza i microjet indotti dalla cavitazione per allontanare le particelle sub-100nm incorporate in trincee o vie, convalidati da contatori di particelle laser (≤ 5 particelle/wafer per ≥ 0,1 μm).- Sì.

Ciclo di risciacquo con acqua pura: Il risciacquo finale con UPW (acqua ultra pura, TOC ≤ 3ppb) elimina le sostanze chimiche residue, raggiungendo una resistività superficiale ≥ 18,2 MΩ·cm per soddisfare le norme SEMI F020 per il trattamento pre-deposito.- Sì.

Specifiche tecniche:- Sì.

Banda di frequenza ad ultrasuoni: 40KHz-80KHz (sceltabile su PLC, ottimizzando l'intensità di cavitazione per il tipo di contaminazione)- Sì.

Temperatura di processo: 60°C (controllato da PID, tolleranza ± 0,5°C) per accelerare la reattività chimica senza indurre lo stress dei wafer- Sì.

Compatibilità materiale: Componenti bagnati in PFA e allumina di alta purezza per resistere alla corrosione HF/H2SO4, evitando la perdita di particelle- Sì.

Metrici di performance di base:- Sì.

Efficienza di rimozione delle particelle (PRE) ≥ 99,9% per contaminanti ≥ 0,1 μm- Sì.

Eliminazione dei residui chimici ≤ 0,1 ng/cm2 (verificata per ICP-MS)- Sì.

Compatibile con la manipolazione automatizzata delle cassette (FOUP/SMIF) per l'integrazione in fabbrica 24 ore su 24, 7 giorni su 7- Sì.

Applicazione: Essenziale per la pulizia pre-litho, post-CMP e pre-impianto nelle linee di produzione di wafer logici, di memoria e di sensori.- Sì.

Parole chiave: detergente per wafer a semiconduttore, pulizia alcalina/acida ad ultrasuoni, risciacquo UPW, processo 40-80KHz, 60°C, decontaminazione dei wafer al silicio- Sì.

Questo sistema garantisce prestazioni di pulizia costanti per massimizzare il rendimento in ambienti di produzione di semiconduttori ad alto volume.

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C 0

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C 2

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C 3

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C 4

Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C 5

Tags:

Pulitore automatico ad ultrasuoni

Apparecchiature per la pulizia ad ultrasuoni

Sistema di pulizia ultrasonica

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Semiconduttore per la pulizia di wafer di silicio - 40KHz-80KHz Ultrasuoni alcalino/acido + risciacquo con acqua pura, 60°C

Marchio:	Jietai
Numero di modello:	JTM-100504AD
MOQ:	1
prezzo:	￥800000
Dettagli dell' imballaggio:	Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M2M2.8M
Condizioni di pagamento:	T/T

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Luogo di origine:

Dongguan, Guangdong

Marca:

Jietai

Certificazione:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model Number:

JTM-100504AD

Frequenza di pulizia:

40KHZ/80KHZ

Tipo:

Lavaggio alcalino ad ultrasuoni+lavaggio acido ad ultrasuoni+lavaggio con acqua pura

nome:

Macchine per la pulizia dei semiconduttori

Temperatura di pulizia:

60°C

Dimensioni complessive:

12M*2M*2.8M

Modello:

JTM-100504AD

Numero di serbatoi:

Potenza:

120kW

Quantità di ordine minimo:

Prezzo:

￥800000

Imballaggi particolari:

Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M*2M*2.8M

Tempi di consegna:

30-60 giorni lavorativi

Payment Terms:

T/T

Capacità di alimentazione:

Ci vorranno da 30 a 60 giorni.

Descrizione del prodotto

Introduzione al prodotto: Sistema di pulizia delle wafer di silicio semiconduttore- Sì.

Meccanismo di pulizia graduale:- Sì.

Pulizia alcalina ad ultrasuoni: opera a 40KHz-80KHz per generare una cavitazione controllata in mezzi alcalini, eliminando in modo efficiente i contaminanti organici (ad es.idrocarburi) e particolato (≥ 1 μm) proveniente dalle superfici dei wafer e dalle strutture a modelloL'energia ad ultrasuoni regolabile in frequenza garantisce una pulizia uniforme tra i wafer da 4 a 12 pollici, compresi i contorni e le superfici posteriori.- Sì.

Pulizia acida ad ultrasuoni: utilizza lo stesso intervallo di frequenza nelle soluzioni acide per colpire le impurità inorganiche, in particolare i contaminanti degli ioni metallici (Fe, Cu, Zn) e gli strati di ossido nativi (SiO2).Questo stadio utilizza i microjet indotti dalla cavitazione per allontanare le particelle sub-100nm incorporate in trincee o vie, convalidati da contatori di particelle laser (≤ 5 particelle/wafer per ≥ 0,1 μm).- Sì.

Ciclo di risciacquo con acqua pura: Il risciacquo finale con UPW (acqua ultra pura, TOC ≤ 3ppb) elimina le sostanze chimiche residue, raggiungendo una resistività superficiale ≥ 18,2 MΩ·cm per soddisfare le norme SEMI F020 per il trattamento pre-deposito.- Sì.

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