logo
Bom preço. on-line

Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Para casa Created with Pixso. produtos Created with Pixso.
Máquina de limpeza de semicondutores
Created with Pixso. Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C

Nome da marca: Jietai
Número do modelo: JTM-100504AD
MOQ: 1
preço: ¥800000
Tempo de entrega: 30 a 60 dias úteis
Condições de pagamento: T/t
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Dongguan, Guangdong
Certificação:
CE, FCC, ROHS, etc.
Tipo:
Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura
nome:
Máquina de limpeza de semicondutores
Model:
JTM-100504AD
Dimensões totais:
12M*2M*2.8M
Frequência de limpeza:
40KHZ/80KHZ
Power:
120KW
Cleaning temperature:
60℃
Número de tanques:
10
Detalhes da embalagem:
Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Habilidade da fonte:
Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.
Descrição do produto
Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.
Uma solução de engenharia de precisão para a fabricação de semicondutores, this ultrasonic cleaning system integrates multi-stage processes to achieve sub-micron level surface purity on silicon wafers—critical for maintaining device performance in advanced node fabrication (down to 5nm).- Não.
Etapas de limpeza sequenciais:- Não.
  • Limpeza por ultra-som: Utiliza cavitação ultrasônica de 40KHz-80KHz em banho alcalino para decompor contaminantes orgânicos, retirar resíduos fotoresistentes e desalojar macropartículas (≥1μm) das superfícies das wafers e através de estruturas.A energia ultrassônica ajustável por frequência garante limpeza uniforme em diâmetros de wafer de 4"-12", incluindo zonas de exclusão de bordas.- Não.
  • Gravação por ácido ultra-sônico: Utiliza a mesma faixa de frequência em meios ácidos para dissolver impurezas inorgânicas, especificamente íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Os micro-jetos de cavitação penetram em características padronizadas para remover contaminantes sub-100nm incorporados, validados por leituras do contador de partículas (≤ 10 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.
  • Rinsagem UPW: O enxaguamento final com água ultrapura (UPW, TOC ≤ 5ppb) lava os resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm2 que satisfaz as normas SEMI F20 para limpeza pré-deposição.- Não.
Parâmetros do processo:- Não.
  • Faixa de frequência: 40KHz-80KHz (operação de múltiplas frequências, selecionável através do HMI para ajuste específico de contaminação)- Não.
  • Ponto de referência de temperatura: 60 °C (controlado pelo PID, tolerância ± 1 °C) para otimizar a cinética da reação química sem induzir a deformação da wafer.- Não.
  • Compatibilidade material: componentes molhados em PFA (perfluoroalcoxi) e safira para evitar a lixiviação de íons metálicos, garantindo zero contaminação cruzada.- Não.
Vantagens da Integração Fab:- Não.
  • Compatível com o carregamento de cápsulas FOUP/SMIF para manuseio automatizado de cassetes, reduzindo a intervenção humana- Não.
  • Projeto de sala limpa (ISO 5) com gases de escape filtrados HEPA para manter a conformidade com o ambiente da classe 1- Não.
  • Armazenamento de receitas para mais de 50 protocolos de limpeza, adaptável a wafers nuas, wafers SOI e epi-wafers- Não.
Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pós-etch em linhas de fabricação de lógica, memória e MEMS.- Não.
Palavras-chave: Limpeza ultra-sônica de wafer semicondutor, limpeza sequencial de ácido alcalino, enxaguamento UPW, 40-80KHz, processo a 60°C, descontaminação submicron

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 0Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 1

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 2

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 3

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 4

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 5

Bom preço. on-line

Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Para casa Created with Pixso. produtos Created with Pixso.
Máquina de limpeza de semicondutores
Created with Pixso. Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C

Nome da marca: Jietai
Número do modelo: JTM-100504AD
MOQ: 1
preço: ¥800000
Detalhes da embalagem: Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Condições de pagamento: T/t
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Dongguan, Guangdong
Marca:
Jietai
Certificação:
CE, FCC, ROHS, etc.
Número do modelo:
JTM-100504AD
Tipo:
Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura
nome:
Máquina de limpeza de semicondutores
Model:
JTM-100504AD
Dimensões totais:
12M*2M*2.8M
Frequência de limpeza:
40KHZ/80KHZ
Power:
120KW
Cleaning temperature:
60℃
Número de tanques:
10
Quantidade de ordem mínima:
1
Preço:
¥800000
Detalhes da embalagem:
Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Tempo de entrega:
30 a 60 dias úteis
Termos de pagamento:
T/t
Habilidade da fonte:
Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.
Descrição do produto
Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.
Uma solução de engenharia de precisão para a fabricação de semicondutores, this ultrasonic cleaning system integrates multi-stage processes to achieve sub-micron level surface purity on silicon wafers—critical for maintaining device performance in advanced node fabrication (down to 5nm).- Não.
Etapas de limpeza sequenciais:- Não.
  • Limpeza por ultra-som: Utiliza cavitação ultrasônica de 40KHz-80KHz em banho alcalino para decompor contaminantes orgânicos, retirar resíduos fotoresistentes e desalojar macropartículas (≥1μm) das superfícies das wafers e através de estruturas.A energia ultrassônica ajustável por frequência garante limpeza uniforme em diâmetros de wafer de 4"-12", incluindo zonas de exclusão de bordas.- Não.
  • Gravação por ácido ultra-sônico: Utiliza a mesma faixa de frequência em meios ácidos para dissolver impurezas inorgânicas, especificamente íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Os micro-jetos de cavitação penetram em características padronizadas para remover contaminantes sub-100nm incorporados, validados por leituras do contador de partículas (≤ 10 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.
  • Rinsagem UPW: O enxaguamento final com água ultrapura (UPW, TOC ≤ 5ppb) lava os resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm2 que satisfaz as normas SEMI F20 para limpeza pré-deposição.- Não.
Parâmetros do processo:- Não.
  • Faixa de frequência: 40KHz-80KHz (operação de múltiplas frequências, selecionável através do HMI para ajuste específico de contaminação)- Não.
  • Ponto de referência de temperatura: 60 °C (controlado pelo PID, tolerância ± 1 °C) para otimizar a cinética da reação química sem induzir a deformação da wafer.- Não.
  • Compatibilidade material: componentes molhados em PFA (perfluoroalcoxi) e safira para evitar a lixiviação de íons metálicos, garantindo zero contaminação cruzada.- Não.
Vantagens da Integração Fab:- Não.
  • Compatível com o carregamento de cápsulas FOUP/SMIF para manuseio automatizado de cassetes, reduzindo a intervenção humana- Não.
  • Projeto de sala limpa (ISO 5) com gases de escape filtrados HEPA para manter a conformidade com o ambiente da classe 1- Não.
  • Armazenamento de receitas para mais de 50 protocolos de limpeza, adaptável a wafers nuas, wafers SOI e epi-wafers- Não.
Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pós-etch em linhas de fabricação de lógica, memória e MEMS.- Não.
Palavras-chave: Limpeza ultra-sônica de wafer semicondutor, limpeza sequencial de ácido alcalino, enxaguamento UPW, 40-80KHz, processo a 60°C, descontaminação submicron

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 0Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 1

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 2

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 3

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 4

Limpeza de Wafer de Silício Semicondutor - 40KHz-80KHz Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento UPW, 60°C 5