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Détails des produits

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Machine à nettoyer les semi-conducteurs
Created with Pixso. Nettoyeur de plaquettes de silicium semi-conducteur - Nettoyage ultrasonique alcalin/acide 40KHz-80KHz + rinçage UPW, 60℃

Nettoyeur de plaquettes de silicium semi-conducteur - Nettoyage ultrasonique alcalin/acide 40KHz-80KHz + rinçage UPW, 60℃

Nom De Marque: Jietai
Numéro De Modèle: JTM-100504AD
Nombre De Pièces: 1
Price: ¥800000
Délai De Livraison: 30 à 60 jours ouvrables
Conditions De Paiement: t/t
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Dongguan, Guangdong
Certification:
CE, FCC, ROHS, etc.
Type:
Lavage alcalin aux ultrasons + Lavage acide aux ultrasons + Rinçage à l'eau pure
name:
Machine à nettoyer les semi-conducteurs
Modèle:
JTM-100504AD
Dimensions globales:
12M*2M*2.8M
Fréquence de nettoyage:
Les fréquences de fréquence de l'appareil doivent être:
Le pouvoir:
120kW
Température de nettoyage:
60°C
Nombre de réservoirs:
10
Détails d'emballage:
Emballage: boîtier en bois, cadre en bois, film étirable, dimensions: 12 M*2 M*2,8 M
Capacité d'approvisionnement:
Une unité, ça prendra 30 à 60 jours.
Description du produit
Présentation du produit : Nettoyeur de plaquettes de silicium pour semi-conducteurs
Solution de précision pour la fabrication de semi-conducteurs, ce système de nettoyage par ultrasons intègre des processus multi-étapes pour obtenir une pureté de surface au niveau submicronique sur les plaquettes de silicium, ce qui est essentiel pour maintenir les performances des dispositifs dans la fabrication de nœuds avancés (jusqu'à 5 nm).
Étapes de nettoyage séquentielles:
  • Frottage ultrasonique alcalin: Utilise la cavitation ultrasonique de 40 kHz à 80 kHz dans un bain alcalin pour décomposer les contaminants organiques, éliminer les résidus de résine photosensible et déloger les macroparticules (≥ 1 µm) des surfaces des plaquettes et des structures de vias. L'énergie ultrasonique à fréquence réglable assure un nettoyage uniforme sur des diamètres de plaquettes de 4" à 12", y compris les zones d'exclusion des bords.
  • Gravure acide ultrasonique: Utilise la même plage de fréquences dans un milieu acide pour dissoudre les impuretés inorganiques, en particulier les ions métalliques (Fe, Cu, Zn) et les couches d'oxyde natif (SiO₂). Les micro-jets de cavitation pénètrent dans les motifs pour éliminer les contaminants inférieurs à 100 nm, validés par les relevés du compteur de particules (≤ 10 particules/plaquette pour ≥ 0,1 µm).
  • Rinçage à l'eau ultra-pure (UPW): Rinçage final à l'eau ultra-pure (UPW, COT ≤ 5 ppb) pour éliminer les produits chimiques résiduels, obtenant une résistivité de surface ≥ 18,2 MΩ·cm, conforme aux normes SEMI F20 pour le nettoyage avant dépôt.
Paramètres de processus:
  • Bande de fréquences: 40 kHz à 80 kHz (fonctionnement multifréquence, sélectionnable via IHM pour un réglage spécifique à la contamination)
  • Point de consigne de température: 60 °C (contrôle PID, tolérance de ± 1 °C) pour optimiser la cinétique des réactions chimiques sans induire de gauchissement des plaquettes.
  • Compatibilité des matériaux: Composants mouillés en PFA (perfluoroalcoxy) et en saphir pour éviter la lixiviation des ions métalliques, garantissant une absence de contamination croisée.
Avantages de l'intégration en salle blanche:
  • Compatible avec le chargement de gousses FOUP/SMIF pour la manipulation automatisée des cassettes, réduisant l'intervention humaine
  • Conception de classe salle blanche (ISO 5) avec échappement filtré HEPA pour maintenir la conformité à l'environnement de classe 1
  • Stockage de recettes pour plus de 50 protocoles de nettoyage, adaptable aux plaquettes nues, aux plaquettes SOI et aux épitaxies
Application: Essentiel pour le nettoyage pré-lithographie, post-CMP et post-gravure dans les lignes de fabrication de logique, de mémoire et de MEMS.
Mots-clés: Nettoyeur ultrasonique de plaquettes de semi-conducteurs, nettoyage séquentiel alcalin-acide, rinçage à l'UPW, 40-80 kHz, processus à 60 °C, décontamination submicronique

Nettoyeur de plaquettes de silicium semi-conducteur - Nettoyage ultrasonique alcalin/acide 40KHz-80KHz + rinçage UPW, 60℃ 0Nettoyeur de plaquettes de silicium semi-conducteur - Nettoyage ultrasonique alcalin/acide 40KHz-80KHz + rinçage UPW, 60℃ 1

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Nom De Marque: Jietai
Numéro De Modèle: JTM-100504AD
Nombre De Pièces: 1
Price: ¥800000
Détails De L'emballage: Emballage: boîtier en bois, cadre en bois, film étirable, dimensions: 12 M*2 M*2,8 M
Conditions De Paiement: t/t
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Dongguan, Guangdong
Nom de marque:
Jietai
Certification:
CE, FCC, ROHS, etc.
Numéro de modèle:
JTM-100504AD
Type:
Lavage alcalin aux ultrasons + Lavage acide aux ultrasons + Rinçage à l'eau pure
name:
Machine à nettoyer les semi-conducteurs
Modèle:
JTM-100504AD
Dimensions globales:
12M*2M*2.8M
Fréquence de nettoyage:
Les fréquences de fréquence de l'appareil doivent être:
Le pouvoir:
120kW
Température de nettoyage:
60°C
Nombre de réservoirs:
10
Quantité de commande min:
1
Prix:
¥800000
Détails d'emballage:
Emballage: boîtier en bois, cadre en bois, film étirable, dimensions: 12 M*2 M*2,8 M
Délai de livraison:
30 à 60 jours ouvrables
Conditions de paiement:
t/t
Capacité d'approvisionnement:
Une unité, ça prendra 30 à 60 jours.
Description du produit
Présentation du produit : Nettoyeur de plaquettes de silicium pour semi-conducteurs
Solution de précision pour la fabrication de semi-conducteurs, ce système de nettoyage par ultrasons intègre des processus multi-étapes pour obtenir une pureté de surface au niveau submicronique sur les plaquettes de silicium, ce qui est essentiel pour maintenir les performances des dispositifs dans la fabrication de nœuds avancés (jusqu'à 5 nm).
Étapes de nettoyage séquentielles:
  • Frottage ultrasonique alcalin: Utilise la cavitation ultrasonique de 40 kHz à 80 kHz dans un bain alcalin pour décomposer les contaminants organiques, éliminer les résidus de résine photosensible et déloger les macroparticules (≥ 1 µm) des surfaces des plaquettes et des structures de vias. L'énergie ultrasonique à fréquence réglable assure un nettoyage uniforme sur des diamètres de plaquettes de 4" à 12", y compris les zones d'exclusion des bords.
  • Gravure acide ultrasonique: Utilise la même plage de fréquences dans un milieu acide pour dissoudre les impuretés inorganiques, en particulier les ions métalliques (Fe, Cu, Zn) et les couches d'oxyde natif (SiO₂). Les micro-jets de cavitation pénètrent dans les motifs pour éliminer les contaminants inférieurs à 100 nm, validés par les relevés du compteur de particules (≤ 10 particules/plaquette pour ≥ 0,1 µm).
  • Rinçage à l'eau ultra-pure (UPW): Rinçage final à l'eau ultra-pure (UPW, COT ≤ 5 ppb) pour éliminer les produits chimiques résiduels, obtenant une résistivité de surface ≥ 18,2 MΩ·cm, conforme aux normes SEMI F20 pour le nettoyage avant dépôt.
Paramètres de processus:
  • Bande de fréquences: 40 kHz à 80 kHz (fonctionnement multifréquence, sélectionnable via IHM pour un réglage spécifique à la contamination)
  • Point de consigne de température: 60 °C (contrôle PID, tolérance de ± 1 °C) pour optimiser la cinétique des réactions chimiques sans induire de gauchissement des plaquettes.
  • Compatibilité des matériaux: Composants mouillés en PFA (perfluoroalcoxy) et en saphir pour éviter la lixiviation des ions métalliques, garantissant une absence de contamination croisée.
Avantages de l'intégration en salle blanche:
  • Compatible avec le chargement de gousses FOUP/SMIF pour la manipulation automatisée des cassettes, réduisant l'intervention humaine
  • Conception de classe salle blanche (ISO 5) avec échappement filtré HEPA pour maintenir la conformité à l'environnement de classe 1
  • Stockage de recettes pour plus de 50 protocoles de nettoyage, adaptable aux plaquettes nues, aux plaquettes SOI et aux épitaxies
Application: Essentiel pour le nettoyage pré-lithographie, post-CMP et post-gravure dans les lignes de fabrication de logique, de mémoire et de MEMS.
Mots-clés: Nettoyeur ultrasonique de plaquettes de semi-conducteurs, nettoyage séquentiel alcalin-acide, rinçage à l'UPW, 40-80 kHz, processus à 60 °C, décontamination submicronique

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