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Limpiador de obleas de silicio semiconductor - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida de 40KHz-80KHz + Enjuague con UPW, 60℃

Limpiador de obleas de silicio semiconductor - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida de 40KHz-80KHz + Enjuague con UPW, 60℃

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Precio:	￥800000
Tiempo De Entrega:	Entre 30 y 60 días hábiles
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Model:

JTM-100504AD

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Power:

120KW

Cleaning temperature:

Number of Tanks:

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

Descripción del Producto

Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Una solución de ingeniería de precisión para la fabricación de semiconductores, este sistema de limpieza ultrasónica integra procesos de múltiples etapas para lograr una pureza superficial a nivel submicrónico en obleas de silicio, lo cual es fundamental para mantener el rendimiento del dispositivo en la fabricación de nodos avanzados (hasta 5 nm).

Etapas de Limpieza Secuenciales:

Fregado Ultrasónico Alcalino: Emplea cavitación ultrasónica de 40KHz-80KHz en un baño alcalino para descomponer contaminantes orgánicos, eliminar residuos de fotorresistente y desprender macropartículas (≥1μm) de las superficies de las obleas y las estructuras de vías. La energía ultrasónica de frecuencia ajustable garantiza una limpieza uniforme en diámetros de obleas de 4"-12", incluidas las zonas de exclusión de bordes.

Grabado Ácido Ultrasónico: Utiliza el mismo rango de frecuencia en medios ácidos para disolver impurezas inorgánicas, específicamente iones metálicos (Fe, Cu, Zn) y capas de óxido nativo (SiO₂). Los microchorros de cavitación penetran en las características con patrones para eliminar contaminantes incrustados de menos de 100 nm, validados por lecturas de contadores de partículas (≤10 partículas/oblea para ≥0,1μm).

Enjuague con UPW: Enjuague final con agua ultrapura (UPW, TOC ≤5ppb) para eliminar las químicas residuales, logrando una resistividad superficial ≥18.2MΩ·cm, cumpliendo con los estándares SEMI F20 para la limpieza previa a la deposición.

Parámetros del Proceso:

Banda de Frecuencia: 40KHz-80KHz (operación multifrecuencia, seleccionable a través de HMI para ajuste específico de contaminación)

Punto de Ajuste de Temperatura: 60℃ (controlado por PID, tolerancia ±1℃) para optimizar la cinética de la reacción química sin inducir deformación de la oblea.

Compatibilidad de Materiales: Componentes humedecidos en PFA (perfluoroalcoxi) y zafiro para evitar la lixiviación de iones metálicos, asegurando cero contaminación cruzada.

Ventajas de la Integración en la Fab:

Compatible con la carga de cápsulas FOUP/SMIF para el manejo automatizado de casetes, reduciendo la intervención humana

Diseño de clase sala limpia (ISO 5) con escape filtrado por HEPA para mantener el cumplimiento del entorno Clase 1

Almacenamiento de recetas para más de 50 protocolos de limpieza, adaptable a obleas desnudas, obleas SOI y epi-wafers

Aplicación: Esencial para la limpieza previa a la litografía, posterior a CMP y posterior al grabado en líneas de fabricación de lógica, memoria y MEMS.

Palabras Clave: Limpiador ultrasónico de obleas semiconductoras, limpieza secuencial alcalina-ácida, enjuague con UPW, proceso de 40-80KHz, 60℃, descontaminación submicrónica

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Tags:

Limpiador ultrasónico automatizado

Equipo de limpieza por ultrasonidos

Sistema de la limpieza ultrasónica

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Limpiador de obleas de silicio semiconductor - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida de 40KHz-80KHz + Enjuague con UPW, 60℃

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Precio:	￥800000
Detalles Del Embalaje:	Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M2M2.8M
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

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Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Nombre de la marca:

Jietai

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Model:

JTM-100504AD

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Power:

120KW

Cleaning temperature:

60℃

Number of Tanks:

Cantidad de orden mínima:

Precio:

￥800000

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Tiempo de entrega:

Entre 30 y 60 días hábiles

Condiciones de pago:

T/t

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

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Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Etapas de Limpieza Secuenciales:

Fregado Ultrasónico Alcalino: Emplea cavitación ultrasónica de 40KHz-80KHz en un baño alcalino para descomponer contaminantes orgánicos, eliminar residuos de fotorresistente y desprender macropartículas (≥1μm) de las superficies de las obleas y las estructuras de vías. La energía ultrasónica de frecuencia ajustable garantiza una limpieza uniforme en diámetros de obleas de 4"-12", incluidas las zonas de exclusión de bordes.

Grabado Ácido Ultrasónico: Utiliza el mismo rango de frecuencia en medios ácidos para disolver impurezas inorgánicas, específicamente iones metálicos (Fe, Cu, Zn) y capas de óxido nativo (SiO₂). Los microchorros de cavitación penetran en las características con patrones para eliminar contaminantes incrustados de menos de 100 nm, validados por lecturas de contadores de partículas (≤10 partículas/oblea para ≥0,1μm).

Enjuague con UPW: Enjuague final con agua ultrapura (UPW, TOC ≤5ppb) para eliminar las químicas residuales, logrando una resistividad superficial ≥18.2MΩ·cm, cumpliendo con los estándares SEMI F20 para la limpieza previa a la deposición.

Parámetros del Proceso:

Banda de Frecuencia: 40KHz-80KHz (operación multifrecuencia, seleccionable a través de HMI para ajuste específico de contaminación)

Punto de Ajuste de Temperatura: 60℃ (controlado por PID, tolerancia ±1℃) para optimizar la cinética de la reacción química sin inducir deformación de la oblea.

Compatibilidad de Materiales: Componentes humedecidos en PFA (perfluoroalcoxi) y zafiro para evitar la lixiviación de iones metálicos, asegurando cero contaminación cruzada.

Ventajas de la Integración en la Fab:

Compatible con la carga de cápsulas FOUP/SMIF para el manejo automatizado de casetes, reduciendo la intervención humana

Diseño de clase sala limpia (ISO 5) con escape filtrado por HEPA para mantener el cumplimiento del entorno Clase 1

Almacenamiento de recetas para más de 50 protocolos de limpieza, adaptable a obleas desnudas, obleas SOI y epi-wafers

Aplicación: Esencial para la limpieza previa a la litografía, posterior a CMP y posterior al grabado en líneas de fabricación de lógica, memoria y MEMS.

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