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Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - 40KHz-80KHz Ultraschall alkalische/säurige Reinigung + Spülung mit reinem Wasser, 60°C

Name: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - 40KHz-80KHz Ultraschall alkalische/säurige Reinigung + Spülung mit reinem Wasser, 60°C
Brand: guangdong Jietai Ultrasonic cleaning Equipment Co., Ltd.
SKU: JTM-100504AD
Price: 800000 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Lieferzeit:	30-60 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	t/t

Einzelheiten

Produktbeschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Dongguan, Guangdong

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Anzahl der Tanks:

Leistung:

120 kW

Gesamtabmessungen:

12M*2M*2.8M

Modell:

JTM-100504AD

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Reinigungstemperatur:

60°C

Verpackung Informationen:

Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.

Produktbeschreibung

Produktvorstellung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Speziell für die Halbleiterindustrie entwickelt, integriert diese hochpräzise Reinigungsanlage mehrstufige Ultraschallprozesse, um ultrareine Oberflächen auf Siliziumwafern zu erzielen, eine entscheidende Voraussetzung für die Gewährleistung einer hohen Ausbeute und Zuverlässigkeit in der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente.

Kernreinigungsprozesse:

Ultraschall-Alkalireinigung: Nutzt Ultraschallkavitation in alkalischen Lösungen, um organische Verunreinigungen, Fotolackrückstände und große Partikel effektiv von Waferoberflächen und Mikrostrukturen zu entfernen. Die kontrollierte Energie, die durch Ultraschallwellen erzeugt wird, gewährleistet eine gründliche Reinigung auch in komplizierten Mustern und bereitet die Wafer auf die anschließende Säurebehandlung vor.

Ultraschall-Säurereinigung: Verwendet Ultraschallenergie in sauren Medien, um anorganische Verunreinigungen, einschließlich Metallionen (wie Fe, Cu und Ni) und Oxidschichten, gezielt zu entfernen. Diese Stufe verbessert die Oberflächenreinheit weiter, indem sie Submikron-Verunreinigungen, die in Waferstrukturen eingebettet sein können, ablöst und die frequenzverstellbare Ultraschallwirkung für eine präzise Reinigung nutzt.

Reinwasser-Spülung: Die letzte Stufe verwendet hochreines Wasser (mit einem spezifischen Widerstand von ≥18,2 MΩ·cm), um restliche Reinigungsmittel gründlich wegzuspülen und sicherzustellen, dass die Waferoberfläche frei von chemischen Rückständen ist und die strengen Reinheitsstandards erfüllt, die für fortschrittliche Halbleiterprozesse erforderlich sind.

Technische Parameter:

Ultraschallfrequenzbereich: 40 kHz - 80 kHz, einstellbar, um sich an verschiedene Verunreinigungsarten und Waferspezifikationen anzupassen und die Kavitationsintensität für optimale Reinigungsergebnisse zu optimieren.

Betriebstemperatur: Wird bei 60℃ gehalten, eine Temperatur, die die Reaktivität der Reinigungslösungen erhöht und gleichzeitig potenzielle Schäden an den Siliziumwafern verhindert, wodurch eine gleichbleibende und zuverlässige Reinigungsleistung gewährleistet wird.

Materialkonstruktion: Schlüsselkomponenten, die mit Wafern und Reinigungsflüssigkeiten in Kontakt kommen, bestehen aus korrosionsbeständigen Materialien wie PFA und hochreinem Quarz, wodurch eine Sekundärkontamination vermieden und die langfristige Stabilität der Anlage gewährleistet wird.

Hauptvorteile:

Erzielt eine außergewöhnliche Partikelentfernungseffizienz und eliminiert effektiv Partikel bis zu einer Größe von 0,1 μm, um die strengen Anforderungen der Halbleiterfertigungsstandards (SEMI) zu erfüllen.

Die Kombination aus Ultraschall-Alkalireinigung, Ultraschall-Säurereinigung und Reinwasser-Spülung bildet einen vollständigen Reinigungszyklus, der eine umfassende Entfernung verschiedener Verunreinigungen gewährleistet.

Der einstellbare Frequenzbereich (40 kHz - 80 kHz) und die präzise Temperaturregelung (60℃) ermöglichen eine Anpassung an spezifische Waferreinigungsanforderungen und erhöhen die Prozessflexibilität.

Konzipiert für die einfache Integration in Halbleiterproduktionslinien, kompatibel mit automatisierten Waferhandhabungssystemen zur Straffung der Fertigungsabläufe.

Anwendung: Ideal für die Reinigung von Siliziumwafern in Prozessen wie Vor-Lithographie, Nach-Ätzen und Vor-Abscheidung in der 4-Zoll- bis 12-Zoll-Waferfertigung, geeignet für Forschungs- und Entwicklungs- sowie Massenproduktionsumgebungen.

Schlüsselwörter: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkalireinigung, Ultraschall-Säurereinigung, Reinwasser-Spülung, 40 kHz - 80 kHz, 60℃, Waferoberflächenbehandlung​

Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - 40KHz-80KHz Ultraschall alkalische/säurige Reinigung + Spülung mit reinem Wasser, 60°C 0

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Tags:

Automatisierter Ultraschallreiniger

Ultraschallreinigungsgeräte

Ultraschallreinigungssystem

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Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Verpackungsdetails:	Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M2 M2,8 M
Zahlungsbedingungen:	t/t

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Markenname:

Jietai

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Modellnummer:

JTM-100504AD

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Anzahl der Tanks:

Leistung:

120 kW

Gesamtabmessungen:

12M*2M*2.8M

Modell:

JTM-100504AD

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Reinigungstemperatur:

60°C

Min Bestellmenge:

Preis:

￥800000

Verpackung Informationen:

Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M

Lieferzeit:

30-60 Arbeitstage

Zahlungsbedingungen:

t/t

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.

Produktbeschreibung

Produktvorstellung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Kernreinigungsprozesse:

Ultraschall-Alkalireinigung: Nutzt Ultraschallkavitation in alkalischen Lösungen, um organische Verunreinigungen, Fotolackrückstände und große Partikel effektiv von Waferoberflächen und Mikrostrukturen zu entfernen. Die kontrollierte Energie, die durch Ultraschallwellen erzeugt wird, gewährleistet eine gründliche Reinigung auch in komplizierten Mustern und bereitet die Wafer auf die anschließende Säurebehandlung vor.

Ultraschall-Säurereinigung: Verwendet Ultraschallenergie in sauren Medien, um anorganische Verunreinigungen, einschließlich Metallionen (wie Fe, Cu und Ni) und Oxidschichten, gezielt zu entfernen. Diese Stufe verbessert die Oberflächenreinheit weiter, indem sie Submikron-Verunreinigungen, die in Waferstrukturen eingebettet sein können, ablöst und die frequenzverstellbare Ultraschallwirkung für eine präzise Reinigung nutzt.

Reinwasser-Spülung: Die letzte Stufe verwendet hochreines Wasser (mit einem spezifischen Widerstand von ≥18,2 MΩ·cm), um restliche Reinigungsmittel gründlich wegzuspülen und sicherzustellen, dass die Waferoberfläche frei von chemischen Rückständen ist und die strengen Reinheitsstandards erfüllt, die für fortschrittliche Halbleiterprozesse erforderlich sind.

Technische Parameter:

Ultraschallfrequenzbereich: 40 kHz - 80 kHz, einstellbar, um sich an verschiedene Verunreinigungsarten und Waferspezifikationen anzupassen und die Kavitationsintensität für optimale Reinigungsergebnisse zu optimieren.

Betriebstemperatur: Wird bei 60℃ gehalten, eine Temperatur, die die Reaktivität der Reinigungslösungen erhöht und gleichzeitig potenzielle Schäden an den Siliziumwafern verhindert, wodurch eine gleichbleibende und zuverlässige Reinigungsleistung gewährleistet wird.

Materialkonstruktion: Schlüsselkomponenten, die mit Wafern und Reinigungsflüssigkeiten in Kontakt kommen, bestehen aus korrosionsbeständigen Materialien wie PFA und hochreinem Quarz, wodurch eine Sekundärkontamination vermieden und die langfristige Stabilität der Anlage gewährleistet wird.

Hauptvorteile:

Erzielt eine außergewöhnliche Partikelentfernungseffizienz und eliminiert effektiv Partikel bis zu einer Größe von 0,1 μm, um die strengen Anforderungen der Halbleiterfertigungsstandards (SEMI) zu erfüllen.

Die Kombination aus Ultraschall-Alkalireinigung, Ultraschall-Säurereinigung und Reinwasser-Spülung bildet einen vollständigen Reinigungszyklus, der eine umfassende Entfernung verschiedener Verunreinigungen gewährleistet.

Der einstellbare Frequenzbereich (40 kHz - 80 kHz) und die präzise Temperaturregelung (60℃) ermöglichen eine Anpassung an spezifische Waferreinigungsanforderungen und erhöhen die Prozessflexibilität.

Konzipiert für die einfache Integration in Halbleiterproduktionslinien, kompatibel mit automatisierten Waferhandhabungssystemen zur Straffung der Fertigungsabläufe.

Schlüsselwörter: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger, Ultraschall-Alkalireinigung, Ultraschall-Säurereinigung, Reinwasser-Spülung, 40 kHz - 80 kHz, 60℃, Waferoberflächenbehandlung​

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