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40KHz-80KHz Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - Ultraschall-Alkaline/Säure-Reinigung + Reines Wasser Spülen, 60°C

Name: 40KHz-80KHz Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - Ultraschall-Alkaline/Säure-Reinigung + Reines Wasser Spülen, 60°C
Brand: guangdong Jietai Ultrasonic cleaning Equipment Co., Ltd.
SKU: JTM-100504AD
Price: 800000 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Lieferzeit:	30-60 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	t/t

Einzelheiten

Produktbeschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Dongguan, Guangdong

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Anzahl der Tanks:

Gesamtabmessungen:

12M*2M*2.8M

Leistung:

120 kW

Reinigungstemperatur:

60°C

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Modell:

JTM-100504AD

Verpackung Informationen:

Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.

Produktbeschreibung

Produkteinführung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Dieses spezialisierte System wurde für die hochpräzise Reinigung in der Halbleiterfertigung entwickelt und kombiniert mehrstufige Ultraschallverfahren, um den strengen Anforderungen an die Oberflächenreinheit von Siliziumwafern gerecht zu werden. Dies wirkt sich direkt auf die Zuverlässigkeit der Bauelemente und die Produktionsausbeute in der Mikroelektronikfertigung aus.

Kernreinigungsverfahren:

Ultraschall-Alkalireinigung: Verwendet Ultraschallkavitation in alkalischen Medien, um organische Verunreinigungen, Photoresist-Rückstände und Partikel von Waferoberflächen und komplizierten Strukturen (z. B. Gräben, Vias) effizient zu entfernen und so ein makelloses Substrat für nachfolgende Verarbeitungsschritte zu schaffen.

Ultraschall-Säurereinigung: Nutzt säurebasierte Ultraschallagitation, um anorganische Verunreinigungen, einschließlich Metallionenverunreinigungen (Fe, Cu, Ni) und native Oxidschichten, zu bekämpfen und zu entfernen, wobei frequenzinduzierte Mikrostrahlen eingesetzt werden, um Submikronpartikel von strukturierten oder polierten Oberflächen zu lösen.

Reinwasser-Spülung: Die Endstufe verwendet Reinstwasser (UPW) mit einem spezifischen Widerstand von ≥18,2 MΩ·cm für gründliches Spülen, wodurch restliche Reinigungsmittel entfernt und die Oberflächeninertheit gewährleistet wird – entscheidend für die Handhabung der Wafer nach der Reinigung und die Dünnschichtabscheidung.

Technische Daten:

Ultraschallfrequenz: 40 kHz - 80 kHz (variable Frequenzausgabe, die eine Optimierung der Kavitationsintensität für verschiedene Verunreinigungsprofile und Wafergrößen ermöglicht)

Betriebstemperatur: 60℃ (präzisionsgesteuerte thermische Umgebung zur Verbesserung der chemischen Reaktivität bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der strukturellen Integrität der Wafer)

Materialkonstruktion: Tanks und Kontaktkomponenten aus PFA und hochreinem Quarz, um chemischer Korrosion zu widerstehen und Partikelabgabe zu verhindern, wodurch eine sekundäre Kontamination ausgeschlossen wird.

Wichtige Leistungsvorteile:

Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz (PRE) von ≥99,9 % für Partikel ≥0,1 μm, konform mit SEMI-Standards für die Verarbeitung in fortschrittlichen Knoten

Die Mehrfrequenz-Ultraschallkonfiguration passt sich an Rohwafer, Epitaxie-Wafer und strukturierte Wafer an (bis zu 7-nm-Technologieknoten)

Die 60℃-Temperaturregelung stabilisiert die chemische Reaktionskinetik und gewährleistet konsistente Reinigungsergebnisse bei Batch-Operationen

Kompatibel mit automatisierten Wafer-Handhabungssystemen (SMIF-Pods, FOUPs) für die nahtlose Integration in Fab-Workflows

Anwendungsbereich: Unverzichtbar für die Reinigung vor der Lithographie, nach CMP (Chemical Mechanical Polishing) und vor der Metallisierung in 6-Zoll- bis 12-Zoll-Siliziumwafer-Produktionslinien.

Schlüsselwörter: Halbleiter-Wafer-Reinigungssystem, Ultraschall-Alkali-/Säurebehandlung, Reinwasser-Spülung, 40-80 kHz Frequenz, 60℃ Prozess, Siliziumwafer-Dekontamination

Dieses System bietet eine zuverlässige Lösung für Halbleiterhersteller, die Defektraten minimieren und die Prozessstabilität in der Großserien-Waferproduktion verbessern möchten.

40KHz-80KHz Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - Ultraschall-Alkaline/Säure-Reinigung + Reines Wasser Spülen, 60°C 0

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Tags:

Automatisierter Ultraschallreiniger

Ultraschallreinigungsgeräte

Ultraschallreinigungssystem

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40KHz-80KHz Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger - Ultraschall-Alkaline/Säure-Reinigung + Reines Wasser Spülen, 60°C

Markenbezeichnung:	Jietai
Modellnummer:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preis:	￥800000
Verpackungsdetails:	Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M2 M2,8 M
Zahlungsbedingungen:	t/t

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Herkunftsort:

Dongguan, Guangdong

Markenname:

Jietai

Zertifizierung:

CE, FCC, ROHS, etc.

Modellnummer:

JTM-100504AD

Name:

Halbleiterreinigungsmaschine

Anzahl der Tanks:

Gesamtabmessungen:

12M*2M*2.8M

Leistung:

120 kW

Reinigungstemperatur:

60°C

Type:

Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung

Reinigungsfrequenz:

40KHZ/80KHZ

Modell:

JTM-100504AD

Min Bestellmenge:

Preis:

￥800000

Verpackung Informationen:

Verpackung: Holzgehäuse, Holzrahmen, Dehnfolie Abmessungen: 12 M*2 M*2,8 M

Lieferzeit:

30-60 Arbeitstage

Zahlungsbedingungen:

t/t

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

Eine Einheit, das dauert 30 bis 60 Tage.

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Produkteinführung: Halbleiter-Silizium-Wafer-Reiniger

Kernreinigungsverfahren:

Ultraschall-Alkalireinigung: Verwendet Ultraschallkavitation in alkalischen Medien, um organische Verunreinigungen, Photoresist-Rückstände und Partikel von Waferoberflächen und komplizierten Strukturen (z. B. Gräben, Vias) effizient zu entfernen und so ein makelloses Substrat für nachfolgende Verarbeitungsschritte zu schaffen.

Ultraschall-Säurereinigung: Nutzt säurebasierte Ultraschallagitation, um anorganische Verunreinigungen, einschließlich Metallionenverunreinigungen (Fe, Cu, Ni) und native Oxidschichten, zu bekämpfen und zu entfernen, wobei frequenzinduzierte Mikrostrahlen eingesetzt werden, um Submikronpartikel von strukturierten oder polierten Oberflächen zu lösen.

Reinwasser-Spülung: Die Endstufe verwendet Reinstwasser (UPW) mit einem spezifischen Widerstand von ≥18,2 MΩ·cm für gründliches Spülen, wodurch restliche Reinigungsmittel entfernt und die Oberflächeninertheit gewährleistet wird – entscheidend für die Handhabung der Wafer nach der Reinigung und die Dünnschichtabscheidung.

Technische Daten:

Ultraschallfrequenz: 40 kHz - 80 kHz (variable Frequenzausgabe, die eine Optimierung der Kavitationsintensität für verschiedene Verunreinigungsprofile und Wafergrößen ermöglicht)

Betriebstemperatur: 60℃ (präzisionsgesteuerte thermische Umgebung zur Verbesserung der chemischen Reaktivität bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der strukturellen Integrität der Wafer)

Materialkonstruktion: Tanks und Kontaktkomponenten aus PFA und hochreinem Quarz, um chemischer Korrosion zu widerstehen und Partikelabgabe zu verhindern, wodurch eine sekundäre Kontamination ausgeschlossen wird.

Wichtige Leistungsvorteile:

Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz (PRE) von ≥99,9 % für Partikel ≥0,1 μm, konform mit SEMI-Standards für die Verarbeitung in fortschrittlichen Knoten

Die Mehrfrequenz-Ultraschallkonfiguration passt sich an Rohwafer, Epitaxie-Wafer und strukturierte Wafer an (bis zu 7-nm-Technologieknoten)

Die 60℃-Temperaturregelung stabilisiert die chemische Reaktionskinetik und gewährleistet konsistente Reinigungsergebnisse bei Batch-Operationen

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