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Einzelheiten zu den Produkten

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Halbleiterreinigungsmaschine
Created with Pixso. 40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C

Markenbezeichnung: Jietai
Modellnummer: JTM-100504AD
MOQ: 1
Preis: ¥800000
Lieferzeit: 30-60work days
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Place of Origin:
Dongguan, Guangdong
Zertifizierung:
CE, FCC, ROHS, etc.
Number of Tanks:
10
Cleaning Frequency:
40KHZ/80KHZ
Type:
Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung
Name:
Semiconductor Cleaning Machine
Gesamtabmessungen:
12M*2M*2.8M
Leistung:
120 kW
Reinigungstemperatur:
60°C
Modell:
JTM-100504AD
Packaging Details:
Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M
Supply Ability:
One unit. It will take 30 to 60 days.
Produktbeschreibung
Produktvorstellung: Reinigungssystem für Halbleiter-Siliziumwafer
Dieses Präzisionsreinigungssystem wurde speziell für die Halbleiterfertigung entwickelt und integriert mehrstufige Ultraschallprozesse, um eine ultrahohe Oberflächenreinheit von Siliziumwafern zu erreichen. Dies ist entscheidend für die Sicherstellung der Ausbeute und Leistung von Bauelementen in der IC-Fertigung und MEMS-Verarbeitung.
Kernreinigungsstufen:
  • Ultraschall-Alkalireinigung: Nutzt den Kavitationseffekt bei einstellbaren Frequenzen, um organische Rückstände, Fotolackreste und Partikelverunreinigungen von Waferoberflächen und Mikrostrukturen aufzulösen und Substrate für die anschließende Säurebehandlung vorzubereiten.
  • Ultraschall-Säurereinigung: Zielt auf anorganische Verunreinigungen (z. B. Metallionen, Oxidschichten) durch frequenzoptimierte Ultraschallenergie ab, wodurch die chemische Reaktivität erhöht wird, um Submikron-Verunreinigungen, die in strukturierten Strukturen oder Waferkanten eingebettet sind, zu entfernen.
  • DI-Wasser-Spülung: Verwendet hochreines deionisiertes Wasser zur Zirkulation, um Restchemikalien zu entfernen, die Oberflächenneutralität zu gewährleisten und strenge Leitfähigkeitsstandards (≤18,2 MΩ·cm) zu erfüllen, die für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung erforderlich sind.
Technische Parameter:
  • Ultraschallfrequenzbereich: 40 kHz - 80 kHz (mehrfach einstellbar, ermöglicht eine präzise Anpassung an Kontaminationstypen und Wafergeometrien)
  • Prozesstemperatur: 60 °C (thermostatisch geregelt, um die chemischen Reaktionsraten zu optimieren und gleichzeitig eine Beschädigung der Wafer zu verhindern)
  • Materialverträglichkeit: Konstruiert mit PFA-ausgekleideten Tanks und Quarzkomponenten, um korrosiven Chemikalien zu widerstehen und Sekundärkontaminationen zu vermeiden.
Hauptvorteile:
  • Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz von unter 50 nm, konform mit den SEMI F020-Standards
  • Frequenzabstimmbare Ultraschallmodule passen sich an Rohwafer, strukturierte Wafer und Dünnschichten an
  • Integrierte Temperaturregelung gewährleistet eine gleichbleibende Reinigungswirkung bei der Chargenverarbeitung
  • Nahtlose Integration mit vorgelagerten Wafer-Handhabungssystemen und nachgelagerten Lithografie-/Ätzprozessen
Anwendung: Ideal für die Vor-Diffusions-, Vor-Abscheidungs- und Nach-Ätz-Reinigung in 4-Zoll- bis 12-Zoll-Siliziumwafer-Fertigungslinien.
Schlüsselwörter: Halbleiter-Waferreiniger, Ultraschall-Alkali-/Säurereinigung, DI-Wasser-Spülung, 40-80 kHz, 60 °C-Prozess, Siliziumwafer-Oberflächenbehandlung

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 040KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 1

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 2

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 3

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 4

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 5

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Markenbezeichnung: Jietai
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MOQ: 1
Preis: ¥800000
Verpackungsdetails: Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M
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Place of Origin:
Dongguan, Guangdong
Markenname:
Jietai
Zertifizierung:
CE, FCC, ROHS, etc.
Model Number:
JTM-100504AD
Number of Tanks:
10
Cleaning Frequency:
40KHZ/80KHZ
Type:
Ultraschall-Alkalireinigung+Ultraschall-Säurereinigung+Reinwasser-Spülung
Name:
Semiconductor Cleaning Machine
Gesamtabmessungen:
12M*2M*2.8M
Leistung:
120 kW
Reinigungstemperatur:
60°C
Modell:
JTM-100504AD
Min Bestellmenge:
1
Preis:
¥800000
Packaging Details:
Packaging: Wooden case, wooden frame, stretch film. Dimensions: 12M*2M*2.8M
Delivery Time:
30-60work days
Payment Terms:
T/T
Supply Ability:
One unit. It will take 30 to 60 days.
Produktbeschreibung
Produktvorstellung: Reinigungssystem für Halbleiter-Siliziumwafer
Dieses Präzisionsreinigungssystem wurde speziell für die Halbleiterfertigung entwickelt und integriert mehrstufige Ultraschallprozesse, um eine ultrahohe Oberflächenreinheit von Siliziumwafern zu erreichen. Dies ist entscheidend für die Sicherstellung der Ausbeute und Leistung von Bauelementen in der IC-Fertigung und MEMS-Verarbeitung.
Kernreinigungsstufen:
  • Ultraschall-Alkalireinigung: Nutzt den Kavitationseffekt bei einstellbaren Frequenzen, um organische Rückstände, Fotolackreste und Partikelverunreinigungen von Waferoberflächen und Mikrostrukturen aufzulösen und Substrate für die anschließende Säurebehandlung vorzubereiten.
  • Ultraschall-Säurereinigung: Zielt auf anorganische Verunreinigungen (z. B. Metallionen, Oxidschichten) durch frequenzoptimierte Ultraschallenergie ab, wodurch die chemische Reaktivität erhöht wird, um Submikron-Verunreinigungen, die in strukturierten Strukturen oder Waferkanten eingebettet sind, zu entfernen.
  • DI-Wasser-Spülung: Verwendet hochreines deionisiertes Wasser zur Zirkulation, um Restchemikalien zu entfernen, die Oberflächenneutralität zu gewährleisten und strenge Leitfähigkeitsstandards (≤18,2 MΩ·cm) zu erfüllen, die für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung erforderlich sind.
Technische Parameter:
  • Ultraschallfrequenzbereich: 40 kHz - 80 kHz (mehrfach einstellbar, ermöglicht eine präzise Anpassung an Kontaminationstypen und Wafergeometrien)
  • Prozesstemperatur: 60 °C (thermostatisch geregelt, um die chemischen Reaktionsraten zu optimieren und gleichzeitig eine Beschädigung der Wafer zu verhindern)
  • Materialverträglichkeit: Konstruiert mit PFA-ausgekleideten Tanks und Quarzkomponenten, um korrosiven Chemikalien zu widerstehen und Sekundärkontaminationen zu vermeiden.
Hauptvorteile:
  • Erzielt eine Partikelentfernungseffizienz von unter 50 nm, konform mit den SEMI F020-Standards
  • Frequenzabstimmbare Ultraschallmodule passen sich an Rohwafer, strukturierte Wafer und Dünnschichten an
  • Integrierte Temperaturregelung gewährleistet eine gleichbleibende Reinigungswirkung bei der Chargenverarbeitung
  • Nahtlose Integration mit vorgelagerten Wafer-Handhabungssystemen und nachgelagerten Lithografie-/Ätzprozessen
Anwendung: Ideal für die Vor-Diffusions-, Vor-Abscheidungs- und Nach-Ätz-Reinigung in 4-Zoll- bis 12-Zoll-Siliziumwafer-Fertigungslinien.
Schlüsselwörter: Halbleiter-Waferreiniger, Ultraschall-Alkali-/Säurereinigung, DI-Wasser-Spülung, 40-80 kHz, 60 °C-Prozess, Siliziumwafer-Oberflächenbehandlung

40KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 040KHz-80KHz Halbleiter-Siliziumwaferreiniger - Ultraschallalkaline/Säure-Reinigung + DI-Wasserspülung, 60°C 1

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