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Limpiador de obleas de silicio semiconductor de 40KHz-80KHz - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida + enjuague con agua DI, 60℃

Limpiador de obleas de silicio semiconductor de 40KHz-80KHz - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida + enjuague con agua DI, 60℃

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Price:	￥800000
Tiempo De Entrega:	Entre 30 y 60 días hábiles
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de tanques:

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

Potencia:

120kW

Temperatura de limpieza:

60 °C

Modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

Descripción del Producto

Introducción al producto: Sistema de limpieza de obleas de silicio semiconductor- ¿ Qué?

Este sistema de limpieza de precisión, diseñado para flujos de trabajo de fabricación de semiconductores, integra procesos ultrasónicos de varias etapas para lograr una pureza superficial ultra alta de las obleas de silicio.crítico para garantizar el rendimiento y el rendimiento del dispositivo en la fabricación de circuitos integrados y el procesamiento MEMS.- ¿ Qué?

Etapas básicas de limpieza:- ¿ Qué?

Limpieza alcalina por ultrasonidos: Utiliza el efecto de cavitación a frecuencias ajustables para disolver residuos orgánicos, restos de fotoresistencia y contaminantes de partículas de las superficies y microestructuras de las obleas,preparación de sustratos para un tratamiento ácido posterior.- ¿ Qué?

Limpieza con ácido por ultrasonidos: se dirige a las impurezas inorgánicas (por ejemplo, iones metálicos, capas de óxido) mediante energía ultrasónica optimizada por frecuencia,mejora la reactividad química para desalojar contaminantes submicrónicos incrustados en estructuras con patrones o bordes de obleas.- ¿ Qué?

DI Enjuague con agua: Implementa una circulación de agua desionizada de alta pureza para eliminar los residuos químicos, garantizando la neutralidad de la superficie y cumpliendo con estrictos estándares de conductividad (≤18.2MΩ·cm) requeridos para el procesamiento avanzado de semiconductores.- ¿ Qué?

Parámetros técnicos:- ¿ Qué?

Rango de frecuencia ultrasónica: 40KHz-80KHz (adjustable en múltiples bandas, que permite una correspondencia precisa con los tipos de contaminación y las geometrías de las obleas)- ¿ Qué?

Temperatura del proceso: 60°C (controlado termostáticamente para optimizar las velocidades de reacción química y evitar el daño de las obleas)- ¿ Qué?

Compatibilidad material: Construido con tanques revestidos con PFA y componentes de cuarzo para resistir sustancias químicas corrosivas, evitando la contaminación secundaria.- ¿ Qué?

Ventajas clave:- ¿ Qué?

Alcanza una eficiencia de eliminación de partículas inferior a los 50 nm, conforme a las normas SEMI F020- ¿ Qué?

Los módulos ultrasónicos ajustables a frecuencia se adaptan a obleas desnudas, obleas con patrón y películas delgadas- ¿ Qué?

El control de temperatura integrado garantiza una eficacia de limpieza constante en todo el procesamiento de lotes- ¿ Qué?

Integración perfecta con los sistemas de manipulación de obleas aguas arriba y los procesos de litografía/grabación aguas abajo- ¿ Qué?

Aplicación: Ideal para la pre-difusión, la pre-deposición y la limpieza posterior al grabado en líneas de fabricación de obleas de silicio de 4 a 12 pulgadas.- ¿ Qué?

Palabras clave: limpiador de obleas de semiconductores, limpieza alcalina/ácida por ultrasonidos, enjuague con agua DI, proceso de 40-80KHz, 60°C, tratamiento de superficie de obleas de silicio- ¿ Qué?

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Tags:

Limpiador ultrasónico automatizado

Equipo de limpieza por ultrasonidos

Sistema de la limpieza ultrasónica

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Limpiador de obleas de silicio semiconductor de 40KHz-80KHz - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida + enjuague con agua DI, 60℃

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Cuota De Producción:	1
Price:	￥800000
Detalles Del Embalaje:	Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M2M2.8M
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

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Lugar de origen:

Dongguan, Guangdong

Nombre de la marca:

Jietai

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Número de tanques:

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Tipo:

Lavado alcalino por ultrasonidos+Lavado con ácido por ultrasonidos+Lavado con agua pura

nombre:

Máquina de limpieza de semiconductores

Dimensiones generales:

12M*2M*2.8M

Potencia:

120kW

Temperatura de limpieza:

60 °C

Modelo:

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Cantidad de orden mínima:

Precio:

￥800000

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Tiempo de entrega:

Entre 30 y 60 días hábiles

Condiciones de pago:

T/t

Capacidad de la fuente:

Una unidad, tardará de 30 a 60 días.

Descripción del Producto

Introducción al producto: Sistema de limpieza de obleas de silicio semiconductor- ¿ Qué?

Etapas básicas de limpieza:- ¿ Qué?

Limpieza alcalina por ultrasonidos: Utiliza el efecto de cavitación a frecuencias ajustables para disolver residuos orgánicos, restos de fotoresistencia y contaminantes de partículas de las superficies y microestructuras de las obleas,preparación de sustratos para un tratamiento ácido posterior.- ¿ Qué?

Limpieza con ácido por ultrasonidos: se dirige a las impurezas inorgánicas (por ejemplo, iones metálicos, capas de óxido) mediante energía ultrasónica optimizada por frecuencia,mejora la reactividad química para desalojar contaminantes submicrónicos incrustados en estructuras con patrones o bordes de obleas.- ¿ Qué?

DI Enjuague con agua: Implementa una circulación de agua desionizada de alta pureza para eliminar los residuos químicos, garantizando la neutralidad de la superficie y cumpliendo con estrictos estándares de conductividad (≤18.2MΩ·cm) requeridos para el procesamiento avanzado de semiconductores.- ¿ Qué?

Parámetros técnicos:- ¿ Qué?

Rango de frecuencia ultrasónica: 40KHz-80KHz (adjustable en múltiples bandas, que permite una correspondencia precisa con los tipos de contaminación y las geometrías de las obleas)- ¿ Qué?

Temperatura del proceso: 60°C (controlado termostáticamente para optimizar las velocidades de reacción química y evitar el daño de las obleas)- ¿ Qué?

Compatibilidad material: Construido con tanques revestidos con PFA y componentes de cuarzo para resistir sustancias químicas corrosivas, evitando la contaminación secundaria.- ¿ Qué?

Ventajas clave:- ¿ Qué?

Alcanza una eficiencia de eliminación de partículas inferior a los 50 nm, conforme a las normas SEMI F020- ¿ Qué?

Los módulos ultrasónicos ajustables a frecuencia se adaptan a obleas desnudas, obleas con patrón y películas delgadas- ¿ Qué?

El control de temperatura integrado garantiza una eficacia de limpieza constante en todo el procesamiento de lotes- ¿ Qué?

Integración perfecta con los sistemas de manipulación de obleas aguas arriba y los procesos de litografía/grabación aguas abajo- ¿ Qué?

Aplicación: Ideal para la pre-difusión, la pre-deposición y la limpieza posterior al grabado en líneas de fabricación de obleas de silicio de 4 a 12 pulgadas.- ¿ Qué?

Palabras clave: limpiador de obleas de semiconductores, limpieza alcalina/ácida por ultrasonidos, enjuague con agua DI, proceso de 40-80KHz, 60°C, tratamiento de superficie de obleas de silicio- ¿ Qué?

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