Detalhes dos produtos

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Limpeza de Wafer de Silício de Semicondutores de 40KHz-80KHz - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água Pura, 60°C

Limpeza de Wafer de Silício de Semicondutores de 40KHz-80KHz - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água Pura, 60°C

Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Price:	￥800000
Tempo de entrega:	30 a 60 dias úteis
Condições de pagamento:	T/t

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Dongguan, Guangdong

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de tanques:

Temperatura de limpeza:

Potência:

120 kW

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Dimensões totais:

12M*2M*2.8M

Modelo:

JTM-100504AD

nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Detalhes da embalagem:

Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.

Habilidade da fonte:

Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.

Descrição do produto

Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.

Este sistema de limpeza de alto desempenho foi especificamente concebido para o processamento de wafers de silício semicondutores,Integração de tecnologias ultra-sônicas de vários estágios para alcançar a pureza superficial ultra-alta necessária para a fabricação avançada de microeletrónica, influenciando diretamente o rendimento e a fiabilidade do dispositivo.- Não.

Processo de limpeza abrangente:- Não.

Limpeza alcalina por ultra-som: Utiliza energia ultra-sônica de 40KHz-80KHz numa solução alcalina para remover eficazmente contaminantes orgânicos, resíduos fotoresistentes,e partículas maiores provenientes de superfícies de wafer de silício e estruturas complexasO efeito de cavitação ultra-sônica assegura uma limpeza completa mesmo em espaços estreitos e em áreas desenhadas, preparando as bolinhas para a limpeza ácida subsequente.- Não.

Limpeza por ácido por ultra-som: Utiliza a mesma faixa de frequência ajustável num meio ácido para atingir e eliminar impurezas inorgânicas, incluindo íons metálicos (tais como Fe, Cu, Ni) e camadas de óxido.Esta fase aumenta ainda mais a pureza da superfície, deslocando os contaminantes submicrônicos que podem estar incorporados na textura da bolacha, aproveitando a energia ultra-sônica precisa para evitar danos à superfície da bolacha.- Não.

Enxaguamento com água pura: Na fase final, é utilizada água de alta pureza com resistividade ≥ 18,2 MΩ·cm para enxaguar cuidadosamente os agentes de limpeza residuais, garantindo que a superfície da bolacha não contenha resíduos químicos.Esta etapa é crucial para manter a integridade da superfície da bolacha e atender aos rigorosos padrões de pureza exigidos para processos subsequentes, como deposição de filme fino e litografia.- Não.

Parâmetros técnicos essenciais:- Não.

Frequência ultrasônica: 40KHz-80KHz, que é ajustável para se adaptar a diferentes tipos de contaminação e especificações de wafer, permitindo uma intensidade de cavitação e eficiência de limpeza ideais.- Não.

Temperatura de funcionamento: 60°C, uma temperatura controlada com precisão que aumenta a reatividade das soluções de limpeza, garantindo ao mesmo tempo a estabilidade estrutural das bolinhas de silício, evitando eventuais danos térmicos.- Não.

Construção de materiais: Os componentes críticos em contacto com as placas e os fluidos de limpeza são fabricados com materiais resistentes à corrosão, tais como PFA e quartzo de alta pureza,evitar eficazmente a contaminação secundária e garantir o funcionamento estável do equipamento a longo prazo;.- Não.

Vantagens notáveis:- Não.

Oferece uma eficiência excepcional de remoção de partículas, capaz de eliminar partículas tão pequenas como 0,1 μm,que satisfaçam os rigorosos requisitos dos padrões da indústria de semicondutores (SEMI) para a fabricação de nós avançados.- Não.

A combinação de limpeza alcalina por ultra-som, limpeza por ácido por ultra-som e enxaguamento com água pura forma um ciclo de limpeza completo e sinérgico,assegurar a remoção completa de vários contaminantes da superfície da bolacha.- Não.

A faixa de frequências ajustável (40KHz-80KHz) e a temperatura de funcionamento estável de 60°C permitem uma personalização flexível de acordo com as necessidades específicas de limpeza das placas,que o tornam adequado para uma ampla gama de tipos de wafer de silício e requisitos de processamento.- Não.

Projetado para integração perfeita em linhas de produção de semicondutores, compatível com sistemas automatizados de manuseio de wafer para agilizar o processo de fabricação e reduzir a intervenção manual,melhorar a eficiência global da produção.- Não.

Área de aplicação: Ideal para limpeza de wafers de silício em processos de fabricação de semicondutores de 4 a 12 polegadas, incluindo fases de pré-difusão, pré-litografia, pós-gravura e pré-metalização,amplamente utilizado tanto em laboratórios de investigação e desenvolvimento como em instalações de produção em larga escala.- Não.

Palavras-chave: limpador de wafer de silício semicondutor, limpeza alcalina por ultra-som, limpeza por ácido por ultra-som, enxaguamento com água pura, 40KHz-80KHz, 60°C, tratamento de superfície, fabrico de microeletrónica

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Tags:

Limpador ultrassônico automatizado

Equipamento de Limpeza Ultrassônica

Sistema da limpeza ultrassônica

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Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Price:	￥800000
Detalhes da embalagem:	Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Condições de pagamento:	T/t

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Lugar de origem:

Dongguan, Guangdong

Marca:

Jietai

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número do modelo:

JTM-100504AD

Número de tanques:

Temperatura de limpeza:

60°C

Potência:

120 kW

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Dimensões totais:

12M*2M*2.8M

Modelo:

JTM-100504AD

nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Quantidade de ordem mínima:

Preço:

￥800000

Detalhes da embalagem:

Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.

Tempo de entrega:

30 a 60 dias úteis

Termos de pagamento:

T/t

Habilidade da fonte:

Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.

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Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.

Processo de limpeza abrangente:- Não.

Limpeza alcalina por ultra-som: Utiliza energia ultra-sônica de 40KHz-80KHz numa solução alcalina para remover eficazmente contaminantes orgânicos, resíduos fotoresistentes,e partículas maiores provenientes de superfícies de wafer de silício e estruturas complexasO efeito de cavitação ultra-sônica assegura uma limpeza completa mesmo em espaços estreitos e em áreas desenhadas, preparando as bolinhas para a limpeza ácida subsequente.- Não.

Limpeza por ácido por ultra-som: Utiliza a mesma faixa de frequência ajustável num meio ácido para atingir e eliminar impurezas inorgânicas, incluindo íons metálicos (tais como Fe, Cu, Ni) e camadas de óxido.Esta fase aumenta ainda mais a pureza da superfície, deslocando os contaminantes submicrônicos que podem estar incorporados na textura da bolacha, aproveitando a energia ultra-sônica precisa para evitar danos à superfície da bolacha.- Não.

Enxaguamento com água pura: Na fase final, é utilizada água de alta pureza com resistividade ≥ 18,2 MΩ·cm para enxaguar cuidadosamente os agentes de limpeza residuais, garantindo que a superfície da bolacha não contenha resíduos químicos.Esta etapa é crucial para manter a integridade da superfície da bolacha e atender aos rigorosos padrões de pureza exigidos para processos subsequentes, como deposição de filme fino e litografia.- Não.

Parâmetros técnicos essenciais:- Não.

Frequência ultrasônica: 40KHz-80KHz, que é ajustável para se adaptar a diferentes tipos de contaminação e especificações de wafer, permitindo uma intensidade de cavitação e eficiência de limpeza ideais.- Não.

Temperatura de funcionamento: 60°C, uma temperatura controlada com precisão que aumenta a reatividade das soluções de limpeza, garantindo ao mesmo tempo a estabilidade estrutural das bolinhas de silício, evitando eventuais danos térmicos.- Não.

Construção de materiais: Os componentes críticos em contacto com as placas e os fluidos de limpeza são fabricados com materiais resistentes à corrosão, tais como PFA e quartzo de alta pureza,evitar eficazmente a contaminação secundária e garantir o funcionamento estável do equipamento a longo prazo;.- Não.

Vantagens notáveis:- Não.

Oferece uma eficiência excepcional de remoção de partículas, capaz de eliminar partículas tão pequenas como 0,1 μm,que satisfaçam os rigorosos requisitos dos padrões da indústria de semicondutores (SEMI) para a fabricação de nós avançados.- Não.

A combinação de limpeza alcalina por ultra-som, limpeza por ácido por ultra-som e enxaguamento com água pura forma um ciclo de limpeza completo e sinérgico,assegurar a remoção completa de vários contaminantes da superfície da bolacha.- Não.

A faixa de frequências ajustável (40KHz-80KHz) e a temperatura de funcionamento estável de 60°C permitem uma personalização flexível de acordo com as necessidades específicas de limpeza das placas,que o tornam adequado para uma ampla gama de tipos de wafer de silício e requisitos de processamento.- Não.

Projetado para integração perfeita em linhas de produção de semicondutores, compatível com sistemas automatizados de manuseio de wafer para agilizar o processo de fabricação e reduzir a intervenção manual,melhorar a eficiência global da produção.- Não.

Limpeza de Wafer de Silício de Semicondutores de 40KHz-80KHz - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água Pura, 60°C 0

Limpeza de Wafer de Silício de Semicondutores de 40KHz-80KHz - Limpeza Alcalina/Ácida Ultrasônica + Enxaguamento com Água Pura, 60°C 2

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