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Limpiador de obleas de silicio semiconductor de 40KHz-80KHz - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida + Enjuague con agua pura, 60℃

Limpiador de obleas de silicio semiconductor de 40KHz-80KHz - Limpieza ultrasónica alcalina/ácida + Enjuague con agua pura, 60℃

Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	JTM-100504AD
Cuota De Producción:	1
Precio:	￥800000
Tiempo De Entrega:	Entre 30 y 60 días hábiles
Condiciones De Pago:	T/t

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número de tanques:

Temperatura de limpieza:

60 °C

Potencia:

120kW

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

Model:

JTM-100504AD

Name:

Semiconductor Cleaning Machine

Type:

Ultrasonic alkaline washing+Ultrasonic acid washing+Pure water rinsing

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

Descripción del Producto

Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Este sistema de limpieza de alto rendimiento está diseñado específicamente para el procesamiento de obleas de silicio semiconductor, integrando tecnologías ultrasónicas de múltiples etapas para lograr la pureza superficial ultra-alta requerida para la fabricación de microelectrónica avanzada, influyendo directamente en el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.

Proceso de Limpieza Integral:

Limpieza Ultrasónica Alcalina: Utiliza energía ultrasónica de 40KHz-80KHz en una solución alcalina para eliminar eficazmente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas más grandes de las superficies de las obleas de silicio y estructuras intrincadas. El efecto de cavitación ultrasónica asegura una limpieza a fondo incluso en espacios estrechos y áreas con patrones, preparando las obleas para la limpieza ácida posterior.

Limpieza Ultrasónica Ácida: Emplea el mismo rango de frecuencia ajustable en un medio ácido para atacar y eliminar impurezas inorgánicas, incluyendo iones metálicos (como Fe, Cu, Ni) y capas de óxido. Esta etapa mejora aún más la pureza de la superficie al desalojar contaminantes submicrónicos que pueden estar incrustados en la textura de la oblea, aprovechando la energía ultrasónica precisa para evitar dañar la superficie de la oblea.

Enjuague con Agua Pura: La etapa final utiliza agua de alta pureza con una resistividad ≥18.2MΩ·cm para enjuagar a fondo los agentes de limpieza residuales, asegurando que la superficie de la oblea esté libre de cualquier residuo químico. Este paso es crucial para mantener la integridad de la superficie de la oblea y cumplir con los estrictos estándares de pureza requeridos para procesos posteriores como la deposición de película delgada y la litografía.

Parámetros Técnicos Clave:

Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz, que es ajustable para adaptarse a diferentes tipos de contaminación y especificaciones de la oblea, lo que permite una intensidad de cavitación y una eficiencia de limpieza óptimas.

Temperatura de Funcionamiento: 60℃, una temperatura controlada con precisión que mejora la reactividad de las soluciones de limpieza al tiempo que garantiza que las obleas de silicio permanezcan estructuralmente estables, evitando cualquier posible daño térmico.

Construcción del Material: Los componentes críticos en contacto con las obleas y los fluidos de limpieza están hechos de materiales resistentes a la corrosión como PFA y cuarzo de alta pureza, evitando eficazmente la contaminación secundaria y asegurando un funcionamiento estable a largo plazo del equipo.

Ventajas Destacadas:

Ofrece una excepcional eficiencia de eliminación de partículas, capaz de eliminar partículas tan pequeñas como 0.1μm, cumpliendo con los estrictos requisitos de los estándares de la industria de semiconductores (SEMI) para la fabricación de nodos avanzados.

La combinación de limpieza ultrasónica alcalina, limpieza ultrasónica ácida y enjuague con agua pura forma un ciclo de limpieza completo y sinérgico, asegurando la eliminación integral de varios contaminantes de la superficie de la oblea.

El rango de frecuencia ajustable (40KHz-80KHz) y la temperatura de funcionamiento estable de 60℃ permiten una personalización flexible de acuerdo con las necesidades específicas de limpieza de la oblea, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de tipos de obleas de silicio y requisitos de procesamiento.

Diseñado para una integración perfecta en las líneas de producción de semiconductores, compatible con sistemas automatizados de manipulación de obleas para optimizar el proceso de fabricación y reducir la intervención manual, mejorando la eficiencia general de la producción.

Alcance de la Aplicación: Ideal para la limpieza de obleas de silicio en procesos de fabricación de semiconductores de 4 a 12 pulgadas, incluyendo las etapas de pre-difusión, pre-litografía, post-grabado y pre-metalización, ampliamente utilizado tanto en laboratorios de investigación y desarrollo como en instalaciones de producción a gran escala.

Palabras Clave: Limpiador de obleas de silicio semiconductor, limpieza ultrasónica alcalina, limpieza ultrasónica ácida, enjuague con agua pura, 40KHz-80KHz, 60℃, tratamiento de superficies, fabricación de microelectrónica

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Tags:

Limpiador ultrasónico automatizado

Equipo de limpieza por ultrasonidos

Sistema de la limpieza ultrasónica

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Nombre De La Marca:	Jietai
Número De Modelo:	JTM-100504AD
Cuota De Producción:	1
Precio:	￥800000
Detalles Del Embalaje:	Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M2M2.8M
Condiciones De Pago:	T/t

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Place of Origin:

Dongguan, Guangdong

Nombre de la marca:

Jietai

Certificación:

CE, FCC, ROHS, etc.

Model Number:

JTM-100504AD

Número de tanques:

Temperatura de limpieza:

60 °C

Potencia:

120kW

Frecuencia de limpieza:

Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las condiciones de emisió

Overall Dimensions:

12M*2M*2.8M

Model:

JTM-100504AD

Name:

Semiconductor Cleaning Machine

Type:

Ultrasonic alkaline washing+Ultrasonic acid washing+Pure water rinsing

Minimum Order Quantity:

Precio:

￥800000

Detalles de empaquetado:

Embalaje: Caja de madera, marco de madera, película estirable. Dimensiones: 12M*2M*2.8M

Tiempo de entrega:

Entre 30 y 60 días hábiles

Condiciones de pago:

T/t

Supply Ability:

One unit. It will take 30 to 60 days.

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Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio Semiconductor

Proceso de Limpieza Integral:

Limpieza Ultrasónica Alcalina: Utiliza energía ultrasónica de 40KHz-80KHz en una solución alcalina para eliminar eficazmente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas más grandes de las superficies de las obleas de silicio y estructuras intrincadas. El efecto de cavitación ultrasónica asegura una limpieza a fondo incluso en espacios estrechos y áreas con patrones, preparando las obleas para la limpieza ácida posterior.

Limpieza Ultrasónica Ácida: Emplea el mismo rango de frecuencia ajustable en un medio ácido para atacar y eliminar impurezas inorgánicas, incluyendo iones metálicos (como Fe, Cu, Ni) y capas de óxido. Esta etapa mejora aún más la pureza de la superficie al desalojar contaminantes submicrónicos que pueden estar incrustados en la textura de la oblea, aprovechando la energía ultrasónica precisa para evitar dañar la superficie de la oblea.

Enjuague con Agua Pura: La etapa final utiliza agua de alta pureza con una resistividad ≥18.2MΩ·cm para enjuagar a fondo los agentes de limpieza residuales, asegurando que la superficie de la oblea esté libre de cualquier residuo químico. Este paso es crucial para mantener la integridad de la superficie de la oblea y cumplir con los estrictos estándares de pureza requeridos para procesos posteriores como la deposición de película delgada y la litografía.

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Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz, que es ajustable para adaptarse a diferentes tipos de contaminación y especificaciones de la oblea, lo que permite una intensidad de cavitación y una eficiencia de limpieza óptimas.

Temperatura de Funcionamiento: 60℃, una temperatura controlada con precisión que mejora la reactividad de las soluciones de limpieza al tiempo que garantiza que las obleas de silicio permanezcan estructuralmente estables, evitando cualquier posible daño térmico.

Construcción del Material: Los componentes críticos en contacto con las obleas y los fluidos de limpieza están hechos de materiales resistentes a la corrosión como PFA y cuarzo de alta pureza, evitando eficazmente la contaminación secundaria y asegurando un funcionamiento estable a largo plazo del equipo.

Ventajas Destacadas:

Ofrece una excepcional eficiencia de eliminación de partículas, capaz de eliminar partículas tan pequeñas como 0.1μm, cumpliendo con los estrictos requisitos de los estándares de la industria de semiconductores (SEMI) para la fabricación de nodos avanzados.

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Diseñado para una integración perfecta en las líneas de producción de semiconductores, compatible con sistemas automatizados de manipulación de obleas para optimizar el proceso de fabricación y reducir la intervención manual, mejorando la eficiencia general de la producción.

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