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Un buon prezzo. in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa. Created with Pixso. prodotti Created with Pixso.
Macchine per la pulizia dei semiconduttori
Created with Pixso. Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃

Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃

Marchio: Jietai
Numero di modello: JTM-100504AD
MOQ: 1
Price: ¥800000
Tempo di consegna: 30-60 giorni lavorativi
Condizioni di pagamento: t/t
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Dongguan, Guangdong
Certificazione:
CE, FCC, ROHS, etc.
Numero di serbatoi:
10
Temperatura di pulizia:
60°C
Potenza:
120kW
Frequenza di pulizia:
40KHZ/80KHZ
Dimensioni complessive:
12M*2M*2.8M
Modello:
JTM-100504AD
nome:
Macchine per la pulizia dei semiconduttori
Tipo:
Lavaggio alcalino ad ultrasuoni+lavaggio acido ad ultrasuoni+lavaggio con acqua pura
Imballaggi particolari:
Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M*2M*2.8M
Capacità di alimentazione:
Ci vorranno da 30 a 60 giorni.
Descrizione del prodotto
Introduzione al prodotto: Pulizzatore di wafer di silicio semiconduttore- Sì.
Questo sistema di pulizia ad alte prestazioni è specificamente progettato per la lavorazione di wafer di silicio semiconduttori,integrazione di tecnologie ad ultrasuoni in più fasi per raggiungere la purezza superficiale ultra elevata richiesta per la produzione avanzata di microelettronica, che influenzano direttamente il rendimento e l'affidabilità del dispositivo.- Sì.
Processo di pulizia completo:- Sì.
  • Pulizia alcalina ad ultrasuoni: utilizza l'energia ad ultrasuoni da 40KHz a 80KHz in una soluzione alcalina per rimuovere efficacemente i contaminanti organici, i residui fotoresistenti,e particolato più grande dalle superfici dei wafer di silicio e dalle strutture complesseL'effetto di cavitazione ad ultrasuoni garantisce una pulizia accurata anche nelle spaziate strette e nelle zone con disegni, preparando i wafer per la successiva pulizia acida.- Sì.
  • Pulizia acida ad ultrasuoni: utilizza lo stesso intervallo di frequenza regolabile in un mezzo acido per colpire ed eliminare le impurità inorganiche, compresi gli ioni metallici (come Fe, Cu, Ni) e gli strati di ossido.Questa fase migliora ulteriormente la purezza della superficie allontanando i contaminanti submicronici che possono essere incorporati nella consistenza del wafer, sfruttando l'energia ultrasonica precisa per evitare danni alla superficie del wafer.- Sì.
  • Risciacquo con acqua pura: La fase finale utilizza acqua di alta purezza con resistività ≥ 18,2 MΩ·cm per risciacquare accuratamente gli agenti di pulizia residui, garantendo che la superficie del wafer sia libera da residui chimici.Questo passaggio è cruciale per mantenere l'integrità della superficie del wafer e soddisfare i severi standard di purezza richiesti per processi successivi come la deposizione a film sottile e la litografia.- Sì.
Parametri tecnici chiave:- Sì.
  • Frequenza ultrasonica: 40KHz-80KHz, regolabile per adattarsi ai diversi tipi di contaminazione e alle specifiche dei wafer, consentendo un'intensità di cavitazione e un'efficienza di pulizia ottimali.- Sì.
  • Temperatura di funzionamento: 60°C, una temperatura controllata con precisione che aumenta la reattività delle soluzioni di pulizia, garantendo al contempo la stabilità strutturale dei wafer di silicio, evitando eventuali danni termici.- Sì.
  • Materiale di costruzione: i componenti critici a contatto con i wafer e i liquidi di pulizia sono realizzati con materiali resistenti alla corrosione quali PFA e quarzo di alta purezza,evitare efficacemente la contaminazione secondaria e garantire il funzionamento stabile a lungo termine dell'apparecchiatura.- Sì.
Vantaggi straordinari:- Sì.
  • Offre un'eccezionale efficienza di rimozione delle particelle, in grado di eliminare particelle di dimensioni inferiori a 0,1 μm,che soddisfano i severi requisiti degli standard dell'industria dei semiconduttori (SEMI) per la produzione di nodi avanzati.- Sì.
  • La combinazione di pulizia alcalina ad ultrasuoni, pulizia acida ad ultrasuoni e risciacquo con acqua pura forma un ciclo di pulizia completo e sinergico,assicurare la completa rimozione di vari contaminanti dalla superficie del wafer.- Sì.
  • L'intervallo di frequenza regolabile (40KHz-80KHz) e la temperatura di funzionamento stabile a 60°C consentono una personalizzazione flessibile in base alle esigenze specifiche di pulizia dei wafer,che lo rende adatto a una vasta gamma di tipi di wafer di silicio e requisiti di lavorazione.- Sì.
  • progettato per un'integrazione senza soluzione di continuità nelle linee di produzione di semiconduttori, compatibile con sistemi automatizzati di movimentazione dei wafer per semplificare il processo di produzione e ridurre l'intervento manuale,miglioramento dell'efficienza generale della produzione.- Sì.
Portata di applicazione: Ideale per la pulizia di wafer di silicio nei processi di produzione di semiconduttori da 4 a 12 pollici, comprese le fasi di pre-diffusione, pre-litografia, post-incisione e pre-metalizzazione,ampiamente utilizzati sia nei laboratori di ricerca e sviluppo che negli impianti di produzione su larga scala.- Sì.
Parole chiave: detergente per wafer di silicio semiconduttore, pulizia alcalina ad ultrasuoni, pulizia acida ad ultrasuoni, risciacquo con acqua pura, 40KHz-80KHz, 60°C, trattamento superficiale, fabbricazione di microelettronica

Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃ 0Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃ 1

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Marchio: Jietai
Numero di modello: JTM-100504AD
MOQ: 1
Price: ¥800000
Dettagli dell' imballaggio: Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M*2M*2.8M
Condizioni di pagamento: t/t
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Dongguan, Guangdong
Marca:
Jietai
Certificazione:
CE, FCC, ROHS, etc.
Numero di modello:
JTM-100504AD
Numero di serbatoi:
10
Temperatura di pulizia:
60°C
Potenza:
120kW
Frequenza di pulizia:
40KHZ/80KHZ
Dimensioni complessive:
12M*2M*2.8M
Modello:
JTM-100504AD
nome:
Macchine per la pulizia dei semiconduttori
Tipo:
Lavaggio alcalino ad ultrasuoni+lavaggio acido ad ultrasuoni+lavaggio con acqua pura
Quantità di ordine minimo:
1
Prezzo:
¥800000
Imballaggi particolari:
Imballaggio: Cassa di legno, telaio di legno, film estensibile. Dimensioni: 12M*2M*2.8M
Tempi di consegna:
30-60 giorni lavorativi
Termini di pagamento:
t/t
Capacità di alimentazione:
Ci vorranno da 30 a 60 giorni.
Descrizione del prodotto
Introduzione al prodotto: Pulizzatore di wafer di silicio semiconduttore- Sì.
Questo sistema di pulizia ad alte prestazioni è specificamente progettato per la lavorazione di wafer di silicio semiconduttori,integrazione di tecnologie ad ultrasuoni in più fasi per raggiungere la purezza superficiale ultra elevata richiesta per la produzione avanzata di microelettronica, che influenzano direttamente il rendimento e l'affidabilità del dispositivo.- Sì.
Processo di pulizia completo:- Sì.
  • Pulizia alcalina ad ultrasuoni: utilizza l'energia ad ultrasuoni da 40KHz a 80KHz in una soluzione alcalina per rimuovere efficacemente i contaminanti organici, i residui fotoresistenti,e particolato più grande dalle superfici dei wafer di silicio e dalle strutture complesseL'effetto di cavitazione ad ultrasuoni garantisce una pulizia accurata anche nelle spaziate strette e nelle zone con disegni, preparando i wafer per la successiva pulizia acida.- Sì.
  • Pulizia acida ad ultrasuoni: utilizza lo stesso intervallo di frequenza regolabile in un mezzo acido per colpire ed eliminare le impurità inorganiche, compresi gli ioni metallici (come Fe, Cu, Ni) e gli strati di ossido.Questa fase migliora ulteriormente la purezza della superficie allontanando i contaminanti submicronici che possono essere incorporati nella consistenza del wafer, sfruttando l'energia ultrasonica precisa per evitare danni alla superficie del wafer.- Sì.
  • Risciacquo con acqua pura: La fase finale utilizza acqua di alta purezza con resistività ≥ 18,2 MΩ·cm per risciacquare accuratamente gli agenti di pulizia residui, garantendo che la superficie del wafer sia libera da residui chimici.Questo passaggio è cruciale per mantenere l'integrità della superficie del wafer e soddisfare i severi standard di purezza richiesti per processi successivi come la deposizione a film sottile e la litografia.- Sì.
Parametri tecnici chiave:- Sì.
  • Frequenza ultrasonica: 40KHz-80KHz, regolabile per adattarsi ai diversi tipi di contaminazione e alle specifiche dei wafer, consentendo un'intensità di cavitazione e un'efficienza di pulizia ottimali.- Sì.
  • Temperatura di funzionamento: 60°C, una temperatura controllata con precisione che aumenta la reattività delle soluzioni di pulizia, garantendo al contempo la stabilità strutturale dei wafer di silicio, evitando eventuali danni termici.- Sì.
  • Materiale di costruzione: i componenti critici a contatto con i wafer e i liquidi di pulizia sono realizzati con materiali resistenti alla corrosione quali PFA e quarzo di alta purezza,evitare efficacemente la contaminazione secondaria e garantire il funzionamento stabile a lungo termine dell'apparecchiatura.- Sì.
Vantaggi straordinari:- Sì.
  • Offre un'eccezionale efficienza di rimozione delle particelle, in grado di eliminare particelle di dimensioni inferiori a 0,1 μm,che soddisfano i severi requisiti degli standard dell'industria dei semiconduttori (SEMI) per la produzione di nodi avanzati.- Sì.
  • La combinazione di pulizia alcalina ad ultrasuoni, pulizia acida ad ultrasuoni e risciacquo con acqua pura forma un ciclo di pulizia completo e sinergico,assicurare la completa rimozione di vari contaminanti dalla superficie del wafer.- Sì.
  • L'intervallo di frequenza regolabile (40KHz-80KHz) e la temperatura di funzionamento stabile a 60°C consentono una personalizzazione flessibile in base alle esigenze specifiche di pulizia dei wafer,che lo rende adatto a una vasta gamma di tipi di wafer di silicio e requisiti di lavorazione.- Sì.
  • progettato per un'integrazione senza soluzione di continuità nelle linee di produzione di semiconduttori, compatibile con sistemi automatizzati di movimentazione dei wafer per semplificare il processo di produzione e ridurre l'intervento manuale,miglioramento dell'efficienza generale della produzione.- Sì.
Portata di applicazione: Ideale per la pulizia di wafer di silicio nei processi di produzione di semiconduttori da 4 a 12 pollici, comprese le fasi di pre-diffusione, pre-litografia, post-incisione e pre-metalizzazione,ampiamente utilizzati sia nei laboratori di ricerca e sviluppo che negli impianti di produzione su larga scala.- Sì.
Parole chiave: detergente per wafer di silicio semiconduttore, pulizia alcalina ad ultrasuoni, pulizia acida ad ultrasuoni, risciacquo con acqua pura, 40KHz-80KHz, 60°C, trattamento superficiale, fabbricazione di microelettronica

Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃ 0Pulitore per wafer di silicio a semiconduttore 40KHz-80KHz - Pulizia a ultrasuoni alcalina/acida + Risciacquo con acqua pura, 60℃ 1

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