Detalhes dos produtos

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Limpador ultrassônico ajustável de wafer de silicone 40-80kHz 60°C, temperatura constante, ácido, alcalino, lavagem UPW, enxágue

Limpador ultrassônico ajustável de wafer de silicone 40-80kHz 60°C, temperatura constante, ácido, alcalino, lavagem UPW, enxágue

Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preço:	￥800000
Tempo de entrega:	30 a 60 dias úteis
Condições de pagamento:	T/t

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Dongguan, Guangdong

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Modelo:

JTM-100504AD

Dimensões gerais:

12M*2M*2.8M

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Poder:

120 kW

Temperatura de limpeza:

Número de tanques:

Detalhes da embalagem:

Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.

Habilidade da fonte:

Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.

Destacar:

Semiconductor silicon wafer ultrasonic cleaner

Alkaline acid cleaning semiconductor machine

UPW rinsing semiconductor wafer cleaner

Descrição do produto

Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.

Uma solução de engenharia de precisão para a fabricação de semicondutores, this ultrasonic cleaning system integrates multi-stage processes to achieve sub-micron level surface purity on silicon wafers—critical for maintaining device performance in advanced node fabrication (down to 5nm).- Não.

Etapas de limpeza sequenciais:- Não.

Limpeza por ultra-som: Utiliza cavitação ultrasônica de 40KHz-80KHz em banho alcalino para decompor contaminantes orgânicos, retirar resíduos fotoresistentes e desalojar macropartículas (≥1μm) das superfícies das wafers e através de estruturas.A energia ultrassônica ajustável por frequência garante limpeza uniforme em diâmetros de wafer de 4"-12", incluindo zonas de exclusão de bordas.- Não.

Gravação por ácido ultra-sônico: Utiliza a mesma faixa de frequência em meios ácidos para dissolver impurezas inorgânicas, especificamente íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Os micro-jetos de cavitação penetram em características padronizadas para remover contaminantes sub-100nm incorporados, validados por leituras do contador de partículas (≤ 10 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.

Rinsagem UPW: O enxaguamento final com água ultrapura (UPW, TOC ≤ 5ppb) lava os resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm2 que satisfaz as normas SEMI F20 para limpeza pré-deposição.- Não.

Parâmetros do processo:- Não.

Faixa de frequência: 40KHz-80KHz (operação de múltiplas frequências, selecionável através do HMI para ajuste específico de contaminação)- Não.

Ponto de referência de temperatura: 60 °C (controlado pelo PID, tolerância ± 1 °C) para otimizar a cinética da reação química sem induzir a deformação da wafer.- Não.

Compatibilidade material: componentes molhados em PFA (perfluoroalcoxi) e safira para evitar a lixiviação de íons metálicos, garantindo zero contaminação cruzada.- Não.

Vantagens da Integração Fab:- Não.

Compatível com o carregamento de cápsulas FOUP/SMIF para manuseio automatizado de cassetes, reduzindo a intervenção humana- Não.

Projeto de sala limpa (ISO 5) com gases de escape filtrados HEPA para manter a conformidade com o ambiente da classe 1- Não.

Armazenamento de receitas para mais de 50 protocolos de limpeza, adaptável a wafers nuas, wafers SOI e epi-wafers- Não.

Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pós-etch em linhas de fabricação de lógica, memória e MEMS.- Não.

Palavras-chave: Limpeza ultra-sônica de wafer semicondutor, limpeza sequencial de ácido alcalino, enxaguamento UPW, 40-80KHz, processo a 60°C, descontaminação submicron

Limpador ultrassônico ajustável de wafer de silicone 40-80kHz 60°C, temperatura constante, ácido, alcalino, lavagem UPW, enxágue

Etiquetas:

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Limpador ultrassônico ajustável de wafer de silicone 40-80kHz 60°C, temperatura constante, ácido, alcalino, lavagem UPW, enxágue

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Limpador ultrassônico ajustável de wafer de silicone 40-80kHz 60°C, temperatura constante, ácido, alcalino, lavagem UPW, enxágue

Nome da marca:	Jietai
Número do modelo:	JTM-100504AD
MOQ:	1
Preço:	￥800000
Detalhes da embalagem:	Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.
Condições de pagamento:	T/t

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Descrição do produto

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Lugar de origem:

Dongguan, Guangdong

Marca:

Jietai

Certificação:

CE, FCC, ROHS, etc.

Número do modelo:

JTM-100504AD

tipo:

Lavagem alcalina por ultra-som+lavagem por ácido por ultra-som+lavagem com água pura

Nome:

Máquina de limpeza de semicondutores

Modelo:

JTM-100504AD

Dimensões gerais:

12M*2M*2.8M

Frequência de limpeza:

40KHZ/80KHZ

Poder:

120 kW

Temperatura de limpeza:

60°C

Número de tanques:

Quantidade de ordem mínima:

Preço:

￥800000

Detalhes da embalagem:

Embalagem: caixa de madeira, quadro de madeira, filme elástico.

Tempo de entrega:

30 a 60 dias úteis

Termos de pagamento:

T/t

Habilidade da fonte:

Uma unidade, levará de 30 a 60 dias.

Destacar:

Semiconductor silicon wafer ultrasonic cleaner

Alkaline acid cleaning semiconductor machine

UPW rinsing semiconductor wafer cleaner

Descrição do produto

Introdução ao produto: Limpeza de wafer de silício semicondutor- Não.

Etapas de limpeza sequenciais:- Não.

Limpeza por ultra-som: Utiliza cavitação ultrasônica de 40KHz-80KHz em banho alcalino para decompor contaminantes orgânicos, retirar resíduos fotoresistentes e desalojar macropartículas (≥1μm) das superfícies das wafers e através de estruturas.A energia ultrassônica ajustável por frequência garante limpeza uniforme em diâmetros de wafer de 4"-12", incluindo zonas de exclusão de bordas.- Não.

Gravação por ácido ultra-sônico: Utiliza a mesma faixa de frequência em meios ácidos para dissolver impurezas inorgânicas, especificamente íons metálicos (Fe, Cu, Zn) e camadas nativas de óxido (SiO2).Os micro-jetos de cavitação penetram em características padronizadas para remover contaminantes sub-100nm incorporados, validados por leituras do contador de partículas (≤ 10 partículas/wafer para ≥ 0,1 μm).- Não.

Rinsagem UPW: O enxaguamento final com água ultrapura (UPW, TOC ≤ 5ppb) lava os resíduos químicos, atingindo uma resistividade de superfície ≥ 18,2 MΩ·cm2 que satisfaz as normas SEMI F20 para limpeza pré-deposição.- Não.

Parâmetros do processo:- Não.

Faixa de frequência: 40KHz-80KHz (operação de múltiplas frequências, selecionável através do HMI para ajuste específico de contaminação)- Não.

Ponto de referência de temperatura: 60 °C (controlado pelo PID, tolerância ± 1 °C) para otimizar a cinética da reação química sem induzir a deformação da wafer.- Não.

Compatibilidade material: componentes molhados em PFA (perfluoroalcoxi) e safira para evitar a lixiviação de íons metálicos, garantindo zero contaminação cruzada.- Não.

Vantagens da Integração Fab:- Não.

Compatível com o carregamento de cápsulas FOUP/SMIF para manuseio automatizado de cassetes, reduzindo a intervenção humana- Não.

Projeto de sala limpa (ISO 5) com gases de escape filtrados HEPA para manter a conformidade com o ambiente da classe 1- Não.

Armazenamento de receitas para mais de 50 protocolos de limpeza, adaptável a wafers nuas, wafers SOI e epi-wafers- Não.

Aplicação: Essencial para limpeza pré-litho, pós-CMP e pós-etch em linhas de fabricação de lógica, memória e MEMS.- Não.

Palavras-chave: Limpeza ultra-sônica de wafer semicondutor, limpeza sequencial de ácido alcalino, enxaguamento UPW, 40-80KHz, processo a 60°C, descontaminação submicron

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