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अच्छी कीमत ऑनलाइन

उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
अर्धचालक सफाई मशीन
Created with Pixso. ट्यून करने योग्य 40-80kHz सिलिकॉन वेफर अल्ट्रासोनिक क्लीनर निरंतर 60°C तापमान एसिड क्षार सफाई शुद्ध पानी कुल्ला

ट्यून करने योग्य 40-80kHz सिलिकॉन वेफर अल्ट्रासोनिक क्लीनर निरंतर 60°C तापमान एसिड क्षार सफाई शुद्ध पानी कुल्ला

ब्रांड नाम: Jietai
मॉडल संख्या: JTM-100504AD
एमओक्यू: 1
कीमत: ¥800000
प्रसव का समय: 30-60 कार्य दिवस
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
डोंगगुआन, ग्वांगडोंग
प्रमाणन:
CE, FCC, ROHS, etc.
सफाई की आवृत्ति:
40kHz/80kHz
प्रकार:
अल्ट्रासोनिक क्षारीय वाशिंग+अल्ट्रासोनिक एसिड वाशिंग+शुद्ध पानी रिंसिंग
नाम:
अर्धचालक सफाई मशीन
सफाई का तापमान:
60℃
कुल मिलाकर आयाम:
12m*2m*2.8m
नमूना:
JTM-100504AD
टैंक की संख्या:
10
शक्ति:
120 किलोवाट
पैकेजिंग विवरण:
पैकेजिंग: वुडन केस, वुडन फ्रेम, स्ट्रेच फिल्म। आयाम: 12m*2m*2.8m
आपूर्ति की क्षमता:
एक इकाई। इसमें 30 से 60 दिन लगेंगे।
प्रमुखता देना:

Semiconductor silicon wafer ultrasonic cleaner

,

Alkaline acid cleaning wafer machine

,

60℃ pure water rinsing cleaner

उत्पाद वर्णन
उत्पाद परिचय: सेमीकंडक्टर सिलिकॉन वेफर क्लीनिंग सिस्टम​
उच्च-सटीक सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए तैयार, यह एकीकृत सफाई प्रणाली उप-पीपीबी स्तर की सतह शुद्धता प्रदान करने के लिए बहु-चरण अल्ट्रासोनिक प्रक्रियाओं को जोड़ती है, जो उन्नत नोड (≤7nm) माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादन में सिलिकॉन वेफर निर्माण के लिए एक महत्वपूर्ण आवश्यकता है।​
चरण-दर-चरण सफाई तंत्र:​
  • अल्ट्रासोनिक क्षारीय सफाई: क्षारीय माध्यम में नियंत्रित गुहिकायन उत्पन्न करने के लिए 40KHz-80KHz पर संचालित होता है, जो कार्बनिक संदूषकों (जैसे, फोटोरेसिस्ट, हाइड्रोकार्बन) और कण पदार्थ (≥1μm) को वेफर सतहों और पैटर्न वाली संरचनाओं से कुशलता से हटाता है। आवृत्ति-ट्यून करने योग्य अल्ट्रासोनिक ऊर्जा 4"-12" वेफर्स में समान सफाई सुनिश्चित करती है, जिसमें एज बेवेल और बैकसाइड सतहें शामिल हैं।​
  • अल्ट्रासोनिक एसिड सफाई: अकार्बनिक अशुद्धियों—विशेष रूप से धातु आयन संदूषकों (Fe, Cu, Zn) और मूल ऑक्साइड परतों (SiO₂) को लक्षित करने के लिए अम्लीय घोल में समान आवृत्ति रेंज का उपयोग करता है। यह चरण खाइयों या विआस में एम्बेडेड उप-100nm कणों को हटाने के लिए गुहिकायन-प्रेरित माइक्रो-जेट का उपयोग करता है, जिसे लेजर कण काउंटरों (≤5 कण/वेफर ≥0.1μm के लिए) द्वारा मान्य किया गया है।​
  • शुद्ध जल रिंस चक्र: यूपीडब्ल्यू (अति-शुद्ध जल, टीओसी ≤3ppb) के साथ अंतिम रिंस अवशिष्ट रसायनों को समाप्त करता है, जमाव-पूर्व प्रसंस्करण के लिए सेमी F020 मानकों को पूरा करने के लिए सतह प्रतिरोधकता ≥18.2MΩ·cm प्राप्त करता है।​
तकनीकी विशिष्टताएँ:​
  • अल्ट्रासोनिक आवृत्ति बैंड: 40KHz-80KHz (पीएलसी के माध्यम से बहु-आवृत्ति चयन योग्य, संदूषण प्रकार के लिए गुहिकायन तीव्रता का अनुकूलन)​
  • प्रक्रिया तापमान: 60℃ (पीआईडी-नियंत्रित, ±0.5℃ सहिष्णुता) वेफर तनाव को प्रेरित किए बिना रासायनिक प्रतिक्रियाशीलता को तेज करने के लिए​
  • सामग्री संगतता: पीएफए और उच्च-शुद्धता एल्यूमिना में गीले घटक एचएफ/एच₂एसओ₄ जंग का प्रतिरोध करते हैं, कणों के झड़ने को रोकते हैं​
मुख्य प्रदर्शन मेट्रिक्स:​
  • कण हटाने की दक्षता (पीआरई) ≥0.1μm संदूषकों के लिए ≥99.9%​
  • रासायनिक अवशेष उन्मूलन ≤0.1ng/cm² (आईसीपी-एमएस सत्यापित)​
  • 24/7 फैब एकीकरण के लिए स्वचालित कैसेट हैंडलिंग (एफओयूपी/एसएमआईएफ) के साथ संगत​
अनुप्रयोग: लॉजिक, मेमोरी और सेंसर वेफर उत्पादन लाइनों में प्री-लिथो, पोस्ट-सीएमपी और प्री-इम्प्लांट सफाई के लिए आवश्यक है।​
कीवर्ड: सेमीकंडक्टर वेफर क्लीनर, अल्ट्रासोनिक क्षारीय/एसिड सफाई, यूपीडब्ल्यू रिंसिंग, 40-80KHz, 60℃ प्रक्रिया, सिलिकॉन वेफर डीकंटैमिनेशन​
यह प्रणाली उच्च-मात्रा वाले सेमीकंडक्टर निर्माण वातावरण में उपज को अधिकतम करने के लिए लगातार सफाई प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।

ट्यून करने योग्य 40-80kHz सिलिकॉन वेफर अल्ट्रासोनिक क्लीनर निरंतर 60°C तापमान एसिड क्षार सफाई शुद्ध पानी कुल्लाट्यून करने योग्य 40-80kHz सिलिकॉन वेफर अल्ट्रासोनिक क्लीनर निरंतर 60°C तापमान एसिड क्षार सफाई शुद्ध पानी कुल्ला

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अर्धचालक सफाई मशीन
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ब्रांड नाम: Jietai
मॉडल संख्या: JTM-100504AD
एमओक्यू: 1
कीमत: ¥800000
पैकेजिंग विवरण: पैकेजिंग: वुडन केस, वुडन फ्रेम, स्ट्रेच फिल्म। आयाम: 12m*2m*2.8m
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
डोंगगुआन, ग्वांगडोंग
ब्रांड नाम:
Jietai
प्रमाणन:
CE, FCC, ROHS, etc.
मॉडल संख्या:
JTM-100504AD
सफाई की आवृत्ति:
40kHz/80kHz
प्रकार:
अल्ट्रासोनिक क्षारीय वाशिंग+अल्ट्रासोनिक एसिड वाशिंग+शुद्ध पानी रिंसिंग
नाम:
अर्धचालक सफाई मशीन
सफाई का तापमान:
60℃
कुल मिलाकर आयाम:
12m*2m*2.8m
नमूना:
JTM-100504AD
टैंक की संख्या:
10
शक्ति:
120 किलोवाट
न्यूनतम आदेश मात्रा:
1
मूल्य:
¥800000
पैकेजिंग विवरण:
पैकेजिंग: वुडन केस, वुडन फ्रेम, स्ट्रेच फिल्म। आयाम: 12m*2m*2.8m
प्रसव के समय:
30-60 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:
टी/टी
आपूर्ति की क्षमता:
एक इकाई। इसमें 30 से 60 दिन लगेंगे।
प्रमुखता देना:

Semiconductor silicon wafer ultrasonic cleaner

,

Alkaline acid cleaning wafer machine

,

60℃ pure water rinsing cleaner

उत्पाद वर्णन
उत्पाद परिचय: सेमीकंडक्टर सिलिकॉन वेफर क्लीनिंग सिस्टम​
उच्च-सटीक सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए तैयार, यह एकीकृत सफाई प्रणाली उप-पीपीबी स्तर की सतह शुद्धता प्रदान करने के लिए बहु-चरण अल्ट्रासोनिक प्रक्रियाओं को जोड़ती है, जो उन्नत नोड (≤7nm) माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादन में सिलिकॉन वेफर निर्माण के लिए एक महत्वपूर्ण आवश्यकता है।​
चरण-दर-चरण सफाई तंत्र:​
  • अल्ट्रासोनिक क्षारीय सफाई: क्षारीय माध्यम में नियंत्रित गुहिकायन उत्पन्न करने के लिए 40KHz-80KHz पर संचालित होता है, जो कार्बनिक संदूषकों (जैसे, फोटोरेसिस्ट, हाइड्रोकार्बन) और कण पदार्थ (≥1μm) को वेफर सतहों और पैटर्न वाली संरचनाओं से कुशलता से हटाता है। आवृत्ति-ट्यून करने योग्य अल्ट्रासोनिक ऊर्जा 4"-12" वेफर्स में समान सफाई सुनिश्चित करती है, जिसमें एज बेवेल और बैकसाइड सतहें शामिल हैं।​
  • अल्ट्रासोनिक एसिड सफाई: अकार्बनिक अशुद्धियों—विशेष रूप से धातु आयन संदूषकों (Fe, Cu, Zn) और मूल ऑक्साइड परतों (SiO₂) को लक्षित करने के लिए अम्लीय घोल में समान आवृत्ति रेंज का उपयोग करता है। यह चरण खाइयों या विआस में एम्बेडेड उप-100nm कणों को हटाने के लिए गुहिकायन-प्रेरित माइक्रो-जेट का उपयोग करता है, जिसे लेजर कण काउंटरों (≤5 कण/वेफर ≥0.1μm के लिए) द्वारा मान्य किया गया है।​
  • शुद्ध जल रिंस चक्र: यूपीडब्ल्यू (अति-शुद्ध जल, टीओसी ≤3ppb) के साथ अंतिम रिंस अवशिष्ट रसायनों को समाप्त करता है, जमाव-पूर्व प्रसंस्करण के लिए सेमी F020 मानकों को पूरा करने के लिए सतह प्रतिरोधकता ≥18.2MΩ·cm प्राप्त करता है।​
तकनीकी विशिष्टताएँ:​
  • अल्ट्रासोनिक आवृत्ति बैंड: 40KHz-80KHz (पीएलसी के माध्यम से बहु-आवृत्ति चयन योग्य, संदूषण प्रकार के लिए गुहिकायन तीव्रता का अनुकूलन)​
  • प्रक्रिया तापमान: 60℃ (पीआईडी-नियंत्रित, ±0.5℃ सहिष्णुता) वेफर तनाव को प्रेरित किए बिना रासायनिक प्रतिक्रियाशीलता को तेज करने के लिए​
  • सामग्री संगतता: पीएफए और उच्च-शुद्धता एल्यूमिना में गीले घटक एचएफ/एच₂एसओ₄ जंग का प्रतिरोध करते हैं, कणों के झड़ने को रोकते हैं​
मुख्य प्रदर्शन मेट्रिक्स:​
  • कण हटाने की दक्षता (पीआरई) ≥0.1μm संदूषकों के लिए ≥99.9%​
  • रासायनिक अवशेष उन्मूलन ≤0.1ng/cm² (आईसीपी-एमएस सत्यापित)​
  • 24/7 फैब एकीकरण के लिए स्वचालित कैसेट हैंडलिंग (एफओयूपी/एसएमआईएफ) के साथ संगत​
अनुप्रयोग: लॉजिक, मेमोरी और सेंसर वेफर उत्पादन लाइनों में प्री-लिथो, पोस्ट-सीएमपी और प्री-इम्प्लांट सफाई के लिए आवश्यक है।​
कीवर्ड: सेमीकंडक्टर वेफर क्लीनर, अल्ट्रासोनिक क्षारीय/एसिड सफाई, यूपीडब्ल्यू रिंसिंग, 40-80KHz, 60℃ प्रक्रिया, सिलिकॉन वेफर डीकंटैमिनेशन​
यह प्रणाली उच्च-मात्रा वाले सेमीकंडक्टर निर्माण वातावरण में उपज को अधिकतम करने के लिए लगातार सफाई प्रदर्शन सुनिश्चित करती है।

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