logo
Хорошая цена. онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Домой Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Машина для очистки полупроводников
Created with Pixso. Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Наименование марки: Jietai
Номер модели: JTM-100504AD
МОК: 1
Цена: ¥800000
Время доставки: 30-60 рабочих дней
Условия оплаты: банковский перевод
Подробная информация
Место происхождения:
Dongguan, Гуандун
Сертификация:
CE, FCC, ROHS, etc.
тип:
Ультразвуковая щелочная промывка+Ультразвуковая кислотная промывка+Ополаскивание чистой водой
Частота очистки:
40KHZ/80KHZ
Количество резервуаров:
10
Власть:
120 кВт
Габаритные размеры:
12М*2М*2.8М
Модель:
JTM-100504AD
Имя:
Машина для очистки полупроводников
Температура очистки:
60℃
Упаковывая детали:
Упаковка: деревянный корпус, деревянная рама, растяжная пленка.
Поставка способности:
Это займет от 30 до 60 дней.
Выделить:

semiconductor silicon wafer cleaner

,

ultrasonic alkaline acid cleaning machine

,

pure water rinsing semiconductor cleaner

Описание продукта

Введение в продукт: Очиститель кремниевых пластин для полупроводников​
Специально разработанное для полупроводниковой промышленности, это высокоточное чистящее оборудование интегрирует многоступенчатые ультразвуковые процессы для достижения ультрачистых поверхностей кремниевых пластин, что является критической предпосылкой для обеспечения высокого выхода и надежности при производстве микроэлектронных устройств.​
Основные процессы очистки:​
  • Ультразвуковая щелочная очистка: Использует ультразвуковую кавитацию в щелочных растворах для эффективного удаления органических загрязнений, остатков фоторезиста и крупных частиц с поверхности пластин и микроструктур. Контролируемая энергия, генерируемая ультразвуковыми волнами, обеспечивает тщательную очистку даже в сложных узорах, подготавливая пластины к последующей кислотной обработке.​
  • Ультразвуковая кислотная очистка: Использует ультразвуковую энергию в кислотной среде для нацеливания и удаления неорганических примесей, включая ионы металлов (такие как Fe, Cu и Ni) и оксидные слои. Этот этап дополнительно повышает чистоту поверхности, удаляя субмикронные загрязнения, которые могут быть встроены в текстуру пластин, используя регулируемое по частоте ультразвуковое воздействие для точной очистки.​
  • Промывка чистой водой: Заключительный этап использует воду высокой чистоты (с удельным сопротивлением ≥18,2 MΩ·cm) для тщательного смывания остатков чистящих средств, обеспечивая отсутствие химических остатков на поверхности пластины и соответствие строгим стандартам чистоты, требуемым для передовых полупроводниковых процессов.​
Технические параметры:​
  • Диапазон ультразвуковых частот: 40 кГц-80 кГц, который регулируется для адаптации к различным типам загрязнений и спецификациям пластин, оптимизируя интенсивность кавитации для достижения оптимальных результатов очистки.​
  • Рабочая температура: Поддерживается на уровне 60℃, температура, которая усиливает реакционную способность чистящих растворов, предотвращая при этом любое потенциальное повреждение кремниевых пластин, обеспечивая стабильную и надежную эффективность очистки.​
  • Конструкция материалов: Основные компоненты, контактирующие с пластинами и чистящими жидкостями, изготовлены из коррозионностойких материалов, таких как PFA и высокочистый кварц, что позволяет избежать вторичного загрязнения и обеспечить долгосрочную стабильность оборудования.​
Основные преимущества:​
  • Обеспечивает исключительную эффективность удаления частиц, эффективно удаляя частицы размером до 0,1 мкм, что соответствует строгим требованиям стандартов производства полупроводников (SEMI).​
  • Сочетание ультразвуковой щелочной очистки, ультразвуковой кислотной очистки и промывки чистой водой образует полный цикл очистки, обеспечивая комплексное удаление различных загрязнений.​
  • Регулируемый диапазон частот (40 кГц-80 кГц) и точный контроль температуры (60℃) позволяют настраивать процесс в соответствии с конкретными потребностями очистки пластин, повышая гибкость процесса.​
  • Разработан для легкой интеграции в производственные линии полупроводников, совместим с автоматизированными системами обработки пластин для оптимизации производственных процессов.​
Применение: Идеально подходит для очистки кремниевых пластин в таких процессах, как предварительная литография, пост-травление и предварительное осаждение в производстве пластин от 4 до 12 дюймов, подходит как для исследований и разработок, так и для массового производства.​
Ключевые слова: Очиститель кремниевых пластин для полупроводников, ультразвуковая щелочная очистка, ультразвуковая кислотная очистка, промывка чистой водой, 40 кГц-80 кГц, 60℃, обработка поверхности пластин​

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывкаУльтразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Хорошая цена. онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Домой Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Машина для очистки полупроводников
Created with Pixso. Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Наименование марки: Jietai
Номер модели: JTM-100504AD
МОК: 1
Цена: ¥800000
Подробная информация об упаковке: Упаковка: деревянный корпус, деревянная рама, растяжная пленка.
Условия оплаты: банковский перевод
Подробная информация
Место происхождения:
Dongguan, Гуандун
Фирменное наименование:
Jietai
Сертификация:
CE, FCC, ROHS, etc.
Номер модели:
JTM-100504AD
тип:
Ультразвуковая щелочная промывка+Ультразвуковая кислотная промывка+Ополаскивание чистой водой
Частота очистки:
40KHZ/80KHZ
Количество резервуаров:
10
Власть:
120 кВт
Габаритные размеры:
12М*2М*2.8М
Модель:
JTM-100504AD
Имя:
Машина для очистки полупроводников
Температура очистки:
60℃
Количество мин заказа:
1
Цена:
¥800000
Упаковывая детали:
Упаковка: деревянный корпус, деревянная рама, растяжная пленка.
Время доставки:
30-60 рабочих дней
Условия оплаты:
банковский перевод
Поставка способности:
Это займет от 30 до 60 дней.
Выделить:

semiconductor silicon wafer cleaner

,

ultrasonic alkaline acid cleaning machine

,

pure water rinsing semiconductor cleaner

Описание продукта

Введение в продукт: Очиститель кремниевых пластин для полупроводников​
Специально разработанное для полупроводниковой промышленности, это высокоточное чистящее оборудование интегрирует многоступенчатые ультразвуковые процессы для достижения ультрачистых поверхностей кремниевых пластин, что является критической предпосылкой для обеспечения высокого выхода и надежности при производстве микроэлектронных устройств.​
Основные процессы очистки:​
  • Ультразвуковая щелочная очистка: Использует ультразвуковую кавитацию в щелочных растворах для эффективного удаления органических загрязнений, остатков фоторезиста и крупных частиц с поверхности пластин и микроструктур. Контролируемая энергия, генерируемая ультразвуковыми волнами, обеспечивает тщательную очистку даже в сложных узорах, подготавливая пластины к последующей кислотной обработке.​
  • Ультразвуковая кислотная очистка: Использует ультразвуковую энергию в кислотной среде для нацеливания и удаления неорганических примесей, включая ионы металлов (такие как Fe, Cu и Ni) и оксидные слои. Этот этап дополнительно повышает чистоту поверхности, удаляя субмикронные загрязнения, которые могут быть встроены в текстуру пластин, используя регулируемое по частоте ультразвуковое воздействие для точной очистки.​
  • Промывка чистой водой: Заключительный этап использует воду высокой чистоты (с удельным сопротивлением ≥18,2 MΩ·cm) для тщательного смывания остатков чистящих средств, обеспечивая отсутствие химических остатков на поверхности пластины и соответствие строгим стандартам чистоты, требуемым для передовых полупроводниковых процессов.​
Технические параметры:​
  • Диапазон ультразвуковых частот: 40 кГц-80 кГц, который регулируется для адаптации к различным типам загрязнений и спецификациям пластин, оптимизируя интенсивность кавитации для достижения оптимальных результатов очистки.​
  • Рабочая температура: Поддерживается на уровне 60℃, температура, которая усиливает реакционную способность чистящих растворов, предотвращая при этом любое потенциальное повреждение кремниевых пластин, обеспечивая стабильную и надежную эффективность очистки.​
  • Конструкция материалов: Основные компоненты, контактирующие с пластинами и чистящими жидкостями, изготовлены из коррозионностойких материалов, таких как PFA и высокочистый кварц, что позволяет избежать вторичного загрязнения и обеспечить долгосрочную стабильность оборудования.​
Основные преимущества:​
  • Обеспечивает исключительную эффективность удаления частиц, эффективно удаляя частицы размером до 0,1 мкм, что соответствует строгим требованиям стандартов производства полупроводников (SEMI).​
  • Сочетание ультразвуковой щелочной очистки, ультразвуковой кислотной очистки и промывки чистой водой образует полный цикл очистки, обеспечивая комплексное удаление различных загрязнений.​
  • Регулируемый диапазон частот (40 кГц-80 кГц) и точный контроль температуры (60℃) позволяют настраивать процесс в соответствии с конкретными потребностями очистки пластин, повышая гибкость процесса.​
  • Разработан для легкой интеграции в производственные линии полупроводников, совместим с автоматизированными системами обработки пластин для оптимизации производственных процессов.​
Применение: Идеально подходит для очистки кремниевых пластин в таких процессах, как предварительная литография, пост-травление и предварительное осаждение в производстве пластин от 4 до 12 дюймов, подходит как для исследований и разработок, так и для массового производства.​
Ключевые слова: Очиститель кремниевых пластин для полупроводников, ультразвуковая щелочная очистка, ультразвуковая кислотная очистка, промывка чистой водой, 40 кГц-80 кГц, 60℃, обработка поверхности пластин​

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывкаУльтразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка

Ультразвуковое очищающее устройство с настройкой на 40-80 кГц для кремниевых вафль 60°C Постоянная температура Кислотная щелочная очистка UPW промывка